[實用新型]基于SIM卡的身份認證裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820297537.2
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN207819934U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王東芳
• 申請（專利權(quán)）人: 北京博惠城信息科技有限公司
• 主分類號: H04L9/32
• 分類號: H04L9/32;H04W12/06;H04W4/80
• 代理公司: 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399
• 代理人: 朱健;陳國軍

1.一種基于SIM卡的身份認證裝置，其特征在于，包括：零溫漂電源電路、SIM卡、微處理器、藍牙射頻芯片和藍牙天線；

所述零溫漂電源電路與所述微處理器的電源端相連，用于為所述微處理器提供零溫度系數(shù)的基準電壓；

所述SIM卡與所述微處理器的第一IO接口相連；

所述微處理器采集所述基準電壓的電壓值，并讀取所述SIM卡中的身份信息，將所述基準電壓的電壓值和所述身份信息發(fā)送至所述藍牙射頻芯片；

所述藍牙射頻芯片的一端與所述微處理器的第二IO接口相連，另一端與所述藍牙天線相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的身份認證裝置，其特征在于，所述零溫漂電源電路包括：

第一P溝道場效應(yīng)管、第二P溝道場效應(yīng)管、第三P溝道場效應(yīng)管、第四P溝道場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管；

所述第一P溝道場效應(yīng)管、所述第二P溝道場效應(yīng)管、所述第三P溝道場效應(yīng)管和所述第四P溝道場效應(yīng)管組成電流鏡；所述第一P溝道場效應(yīng)管的寬長比與所述第二P溝道場效應(yīng)管的寬長比的比值為1:N，且所述第一電阻的阻值與所述第二電阻的阻值的比值為N:1；

所述第一P溝道場效應(yīng)管的柵極與所述第二P溝道場效應(yīng)管的柵極相連，并與所述第三P溝道場效應(yīng)管的漏極相連；所述第三P溝道場效應(yīng)管的柵極與所述第四P溝道場效應(yīng)管的柵極相連，并與所述第一電阻和所述第三電阻的連接節(jié)點相連；

所述第一P溝道場效應(yīng)管的漏極與所述第三P溝道場效應(yīng)管的源極相連，所述第二P溝道場效應(yīng)管的漏極與所述第四P溝道場效應(yīng)管的源極相連；

所述第三P溝道場效應(yīng)管的漏極依次通過所述第一電阻、所述第三電阻與所述第一雙極型晶體管的發(fā)射極相連；

所述第四P溝道場效應(yīng)管的漏極通過所述第二電阻與所述第二雙極型晶體管的發(fā)射極相連，且所述第四P溝道場效應(yīng)管的漏極還與電壓輸出端相連；所述電壓輸出端用于為所述微處理器提供電源；

所述第一雙極型晶體管的基極與所述第二雙極型晶體管的基極相連并接地，所述第一雙極型晶體管的集電極與所述第二雙極型晶體管的集電極相連并接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的身份認證裝置，其特征在于，所述第一雙極型晶體管和所述第二雙極型晶體管為PNP型三極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的身份認證裝置，其特征在于，還包括：連接電路；

所述SIM卡通過所述連接電路與所述微處理器相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的身份認證裝置，其特征在于，所述連接電路包括：第一運放、第二運放、第三雙極型晶體管、第四電阻和第五電阻；

所述第一運放的輸入端與所述第二運放的輸出端相連，并與所述SIM卡的數(shù)據(jù)端相連；所述第一運放的控制端與所述微處理器的讀寫控制端相連，所述第一運放的反饋端與所述第二運放的控制端相連；所述第一運放的輸出端與所述第二運放的輸入端相連，并與所述微處理器的數(shù)據(jù)端相連；

所述第四電阻的一端與所述SIM卡的編程電壓端相連，另一端與所述第一運放的輸入端相連；

所述第五電阻的一端與所述SIM卡的電源端相連，另一端與所述微處理器的數(shù)據(jù)端相連；

所述第三雙極型晶體管的基極與所述微處理器的功率控制端相連，所述第三雙極型晶體管的集電極與所述SIM卡的電源端相連，所述第三雙極型晶體管的發(fā)射極與電源相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的身份認證裝置，其特征在于，所述第三雙極型晶體管為PNP型三極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的身份認證裝置，其特征在于，還包括：蜂鳴器；

所述蜂鳴器與所述微處理器相連。