[實用新型]新能源電池片和新能源電池組件有效
| 申請號: | 201820293468.8 | 申請日: | 2018-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN207883700U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發明(設計)人: | 于瑩 | 申請(專利權)人: | 于瑩 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/05 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 趙勍毅 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 主柵線 細柵線 減反射膜 背面 電池片 新能源 反射光 上表面 豎向 單晶硅片表面 太陽能電池片 電能利用率 電池組件 電能損耗 多次反射 交叉形成 孔隙結構 依次層疊 集熱層 網格狀 下表面 電極 硅片 微孔 電池 傳遞 | ||
一種新能源電池片,包括依次層疊設置的硅片、集熱層和減反射膜,減反射膜上表面設置有若干橫向細柵線和若干豎向細柵線,若干橫向細柵線和若干豎向細柵線交叉形成網格狀,減反射膜上表面的正面主柵線,減反射膜下表面背面主柵線,各正面主柵線和各背面主柵線均設置在減反射膜邊沿,正面主柵線的數量大于背面主柵線的數量。通過將細柵線和正面主柵線、背面主柵線同時設置,電池片產生的電流可以從細柵線傳遞至正面主柵線、背面主柵線,電極上的電能損耗小,提高了太陽能電池片的電能利用率。同時,通過在電池片的單晶硅片表面設置多個微孔形成孔隙結構,使得反射光可在孔隙中多次反射,從而達到充分利用反射光的效果,提高新能源電池的效率。
技術領域
本實用新型屬于光伏或半導體領域,尤其涉及一種新能源電池片和新能源電池組件。
背景技術
太陽能電池是一種將太陽能轉換為電能的器件。按照使用材料的不同,分為硅基太陽能電池、化合物半導體太陽能電池以及聚合物材料電池等等。無論哪種材料,只要其折射率與空氣的折射率不匹配,太陽光照射在其表面時,就會形成反射,如果反射光不被加以利用,就只有部分光能被材料吸收,導致太陽能不能得以充分利用,這個參數反映到太陽能電池本身,就是太陽能電池的效率低。為了減小這種損失,早在上個世紀,就有研究機構在晶向的硅基太陽能電池表面,通過各向異性的方法,用KOH等堿性腐蝕液制備出倒金子塔(V型槽)的陷光結構,這種倒金字塔結構整齊,排列方向一致,結合適當的減反膜層設計和電極結構,大幅度提高了太陽能電池的效率(約提高24.7%),但這種陷光結構的需要掩膜進行圖形化,制作成本較高。最近美國的麻省理工(MIT) 等研究機構試圖通過在硅片表面通過干涉曝光一種無掩膜的圖形化方法來形成單元面積更小的倒金字塔結構,這種方法同樣需要經過涂膠、曝光和光刻這些工序,也存在工藝復雜成本高的問題。如何以較簡單的方式形成能充分利用反射光的晶體硅太陽能電池是個需要解決的問題。
背接觸電池常用的封裝方法有以下幾種:1)同一種電池通過回繞式焊接條焊接進行封裝,缺點為一點需要多次焊接,工藝耗時,如圖1所示。2)采用背電路板封裝,其由外層聚合物、中間層導電金屬箔、內部層介電薄膜組成,在內部介電薄膜中間開出小孔露出導電金屬箔,從而封裝后使得背板的導電金屬箔與電池的背面導電極列連接,達到歐姆接觸。但是,導電背板的成本較高,使得背接觸電池的應用受到一定的限制,另外導電背板的導電金屬箔與電池的背電極列的連接對準要求較高,增加了一定的工藝難度。3)正反電池通過焊帶進行封裝,優點為焊接容易成本低,缺點為電池需要準備正反兩種,生產管理程序較為繁瑣,需要增加自動化的成本或者會增加人工出錯的幾率。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種單位面積發電量高、制造成本低的新能源電池片。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種新能源電池片,包括依次層疊設置的硅片、集熱層和減反射膜,所述減反射膜上表面設置有若干橫向細柵線和若干豎向細柵線,所述若干橫向細柵線和若干豎向細柵線交叉形成網格狀,所述減反射膜上表面的正面主柵線,所述減反射膜下表面背面主柵線,各所述正面主柵線和各所述背面主柵線均設置在所述減反射膜邊沿,所述正面主柵線的數量大于所述背面主柵線的數量。
具體地,所述硅片為單晶硅片,所述單晶硅片表面具有多個排列設置的微孔,使電池片的單晶硅片表面形成孔隙結構。
具體地,所述微孔的孔徑為2~500nm,所述微孔的深度為25~30微米。
具體地,所述橫向細柵線和若干豎向細柵線的線幅為10-200微米。
具體地,各所述正面主柵線和各所述背面主柵線的線幅小于或等于1mm。
具體地,各所述正面主柵線和各所述背面主柵線與匯流帶電連接。
具體地,所述電池片的長度為2~35cm,寬度為1~14cm,厚度為0.06~1.8mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





