[實(shí)用新型]一種高能注入埋層雙通道LDMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820293375.5
• 申請(qǐng)日: 2018-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN207896096U
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛焜;姚堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都信息工程大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 胡川

1.一種高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，包括P型襯底，所述P型襯底中形成有相鄰的深N阱和P阱，從所述深N阱的頂部至內(nèi)部依次形成有P型帽層和至少一層注入埋層，所述深N阱遠(yuǎn)離所述P阱的一側(cè)形成有N+漏極，所述P阱上形成有N+源極和P+源極，在所述深N阱與P阱交界區(qū)域上方的所述P型襯底上形成有多晶硅柵，所述多晶硅柵與所述深N阱和P阱絕緣隔離，其中，所述注入埋層包括由上至下的N型埋層和P型埋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述多晶硅柵呈階梯形，且所述多晶硅柵較高的一端位于所述深N阱上方，所述多晶硅柵較低的一端位于所述P阱上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述P型襯底上還形成有絕緣介質(zhì)層，所述多晶硅柵夾設(shè)于所述絕緣介質(zhì)層中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述P型襯底上還形成有漏極金屬和源極金屬，所述漏極金屬穿過所述絕緣介質(zhì)層與所述N+漏極電性連接，所述源極金屬穿過所述絕緣介質(zhì)層與所述N+源極和P+源極電性連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述深N阱的N型離子的注入劑量范圍為2×10¹²/cm²-8×10¹²/cm²，所述深N阱的結(jié)深為4-16μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述P型帽層、N型埋層和P型埋層的注入劑量范圍為1×10¹²/cm²-7×10¹²/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高能注入埋層雙通道LDMOS器件，其特征在于，所述N+漏極、N+源極和P+源極的注入劑量范圍為1×10¹⁵/cm²-1×10¹⁶/cm²。