[實用新型]氣體管路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820286311.2
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN207975473U
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇信瑀;廖志朋
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇信瑀
• 主分類號: F17D1/02
• 分類號: F17D1/02
• 代理公司: 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214
• 代理人: 黃超;周春發(fā)

本實用新型有關(guān)于一種氣體管路結(jié)構(gòu)，是一種提供加熱后的特殊氣體與化學氣相沉積裝置所產(chǎn)生的廢棄混合的氣體管路結(jié)構(gòu)；本實用新型至少包括有一氣管、一輸氣孔，以及一環(huán)體；藉此，本實用新型藉由在氣管內(nèi)加裝氣體流道與復數(shù)個氣孔的硬體設(shè)計，有效使經(jīng)過加熱后的氮氣與化學氣相沉積裝置的制程后所產(chǎn)生的廢氣于氣管內(nèi)混合，以避免排氣管路中的廢氣凝結(jié)成粉塵而沉積于排氣管內(nèi)部而減損氣管的流通性，確實達到提升廢氣的流速以輸出至廢氣處理器并提升氣管的流通性的主要優(yōu)勢。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型有關(guān)于一種氣體管路結(jié)構(gòu)，尤其是指一種提供加熱后的特殊氣體與化學氣相沉積裝置所產(chǎn)生的廢棄混合的氣體管路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

按，在現(xiàn)行半導體制程中的擴散(Diffusion)和沉積(Deposition)等步驟中，必須透過不同氣體在晶圓(Wafer)表面產(chǎn)生反應(yīng)的機制，藉以形成一層氧化薄膜；請參閱圖1所示，為傳統(tǒng)化學氣相沉積裝置的廢氣處理示意圖，由于半導體制程所使用的化學氣相沉積裝置A在每批晶圓生產(chǎn)過程中皆會伴隨廢氣的排放，而這些廢氣在通過真空泵浦B之后，會因為廢氣排氣管路C的溫度降低而形成冷凝現(xiàn)象，使得廢氣容易凝結(jié)為粉塵而沉積在排氣管路C的內(nèi)壁上，日積月累下容易造成排氣管路C內(nèi)徑縮小甚至堵塞，最后導致排氣管路C的排氣量不足而引發(fā)工安或衛(wèi)生等問題，更甚者可能使得排氣管路起火而引起火災(zāi)與爆炸等危險。

中國臺灣專利第M534806號的“加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)”即被研發(fā)以解決上述的問題，請再一并參閱圖1所示，該專利主要包括有一通道管D、一進氣端D1與一加熱器E，透過進氣端D1先將氣體導入通道管D，并同時由加熱器E對氣體進行加熱動作，最后由通道管D的復數(shù)穿孔(圖式未標示)進入通道管D，并由通道管D導引氣體，而透過通道管D所環(huán)設(shè)的復數(shù)穿孔，乃可使氣體增加流動的作用行程同時可平均通道管D內(nèi)氣體的溫度；然而，由于此專利的穿孔環(huán)設(shè)于通道管D的管身，且進氣端D1套設(shè)于通道管D的外部，且進氣端D1橫向設(shè)置于通道管D而有密合不佳的問題，容易導致內(nèi)部的氣體流出，且穿孔亦容易使氣體無法于通道管D內(nèi)流動；因此，如何有效藉由創(chuàng)新的硬體設(shè)計，以避免排氣管路中的廢氣凝結(jié)成粉塵而沉積于排氣管內(nèi)部而減損氣管的流通性，仍是半導體的氣體管路結(jié)構(gòu)等相關(guān)產(chǎn)業(yè)開發(fā)業(yè)者與相關(guān)研究人員需持續(xù)努力克服與解決的課題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所解決的技術(shù)問題即在提供一種氣體管路結(jié)構(gòu)，尤其是指一種提供加熱后的特殊氣體與化學氣相沉積裝置所產(chǎn)生的廢棄混合的氣體管路結(jié)構(gòu)與排氣處理方法，主要藉由在氣管內(nèi)加裝氣體流道與復數(shù)個氣孔的硬體設(shè)計，有效使經(jīng)過加熱后的氮氣與化學氣相沉積裝置的制程后所產(chǎn)生的廢氣于氣管內(nèi)混合，以避免排氣管路中的廢氣凝結(jié)成粉塵而沉積于排氣管內(nèi)部而減損氣管的流通性，確實達到提升廢氣的流速以輸出至廢氣處理器并提升氣管的流通性的主要優(yōu)勢。

本實用新型所采用的技術(shù)手段如下所述。為了達到上述的實施目的，本實用新型人提出一種氣體管路結(jié)構(gòu)，至少包括有一氣管、一輸氣孔，以及一環(huán)體；氣管內(nèi)部開設(shè)有一容置空間；輸氣孔設(shè)置于氣管的外管壁上且與容置空間相互貫通；環(huán)體設(shè)置于容置空間，環(huán)體相對于氣管徑向方向環(huán)設(shè)有一氣體流道，而環(huán)體上環(huán)設(shè)有復數(shù)個與氣體流道相互連接的氣孔，其中氣體流道與輸氣孔相互貫通。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中氣管的二端部分別設(shè)置有一氣體入口，以及一氣體出口。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中一具有一第一流速的第一氣體經(jīng)由氣體入口與氣體出口進出氣管。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中第一氣體為廢氣。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中一具有一第二流速的第二氣體由輸氣孔而經(jīng)由氣體流道與氣孔進入氣管。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中第二氣體為經(jīng)過一加熱管加熱的特殊氣體。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中第二氣體為氮氣。

如上所述的氣體管路結(jié)構(gòu)，其中第二流速大于第一流速。