[實(shí)用新型]一種全彩PMOLED模組有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820281681.7 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN207765450U | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅志猛;符運(yùn)昌;趙云 | 申請（專利權(quán)）人： | 信利半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 鄧義華;陳衛(wèi) |
| 地址： | 516600 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 全彩 金屬網(wǎng)格 觸摸層 基板 模組 功能層 本實(shí)用新型 搭配使用 精度要求 像素網(wǎng)格 性能要求 間隔層 驅(qū)動IC 量產(chǎn) 線寬 像素 制程 | ||
1.一種全彩PMOLED模組，其特征在于，包括基板、設(shè)置在所述基板的一面上的金屬網(wǎng)格觸摸層以及設(shè)置在所述基板的另一面上的全彩PMOLED功能層，所述金屬網(wǎng)格觸摸層和所述全彩PMOLED功能層中的像素網(wǎng)格間隔層在空間上相重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層的線寬不大于所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層的線寬和所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬相同或相近。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬不小于30μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層采用實(shí)現(xiàn)按鍵觸摸功能的金屬網(wǎng)格圖案，或者，采用實(shí)現(xiàn)全觸摸功能的金屬網(wǎng)格圖案。
6.一種全彩PMOLED模組，其特征在于，包括基板、設(shè)置在所述基板一面上的金屬網(wǎng)格觸摸層、設(shè)置在所述金屬網(wǎng)格觸摸層上的絕緣隔離層、設(shè)置在所述絕緣隔離層上的全彩PMOLED功能層，所述金屬網(wǎng)格觸摸層和所述全彩PMOLED功能層中的像素網(wǎng)格間隔層在空間上相重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層的線寬不大于所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層的線寬和所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬相同或相近。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述像素網(wǎng)格間隔層的線寬不小于30μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全彩PMOLED模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格觸摸層采用實(shí)現(xiàn)按鍵觸摸功能的金屬網(wǎng)格圖案，或者，采用實(shí)現(xiàn)全觸摸功能的金屬網(wǎng)格圖案。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于信利半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)信利半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820281681.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：顯示基板及顯示裝置
- 下一篇：一種光刻工藝中的晶圓結(jié)構(gòu)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
