[實用新型]一種倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201820270911.X
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號: CN208045485U
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 張威;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的N型半導體層、發光層、P型半導體層、反射層、第一鈍化層、電極層、第二鈍化層、焊盤層和焊接層；所述第一鈍化層上設有延伸至所述N型半導體層的第一通孔和延伸至所述P型半導體層的第二通孔，所述電極層包括間隔設置的N型電極和P型電極，所述N型電極通過所述第一通孔與所述N型半導體層形成歐姆接觸，所述P型電極通過所述第二通孔與所述P型半導體層形成歐姆接觸；所述第二鈍化層上設有延伸至所述N型電極的第三通孔和延伸至所述P型電極的第四通孔，所述焊盤層包括間隔設置的N型焊盤和P型焊盤，所述N型焊盤通過所述第三通孔與所述N型電極連接，所述P型焊盤通過所述第四通孔與所述P型電極連接；

其特征在于，所述焊接層上設有延伸至所述焊盤層的第五通孔和第六通孔，所述第五通孔在基準面上的投影區域包括所述第三通孔在所述基準面上的投影區域，所述第六通孔在所述基準面上的投影區域包括所述第四通孔在所述基準面上的投影區域，所述基準面為所述襯底設置所述N型半導體層的表面。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第五通孔在所述基準面上的投影區域還包括第一邊框區域，所述第一邊框區域所包圍的區域與所述第三通孔在所述基準面上的投影區域重合；所述第六通孔在所述基準面上的投影區域還包括第二邊框區域，所述第二邊框區域所包圍的區域與所述第四通孔在所述基準面上的投影區域重合。

3.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一邊框區域的內邊緣和外邊緣之間的距離為2μm～5μm；所述第二邊框區域的內邊緣和外邊緣之間的距離為2μm～5μm。

4.根據權利要求1～3任一項所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述焊接層上還設有延伸至所述焊盤層的第七通孔和第八通孔，所述第七通孔在所述基準面上的投影區域包括所述第一通孔在所述基準面上的投影區域，所述第八通孔在所述基準面上的投影區域包括所述第二通孔在所述基準面上的投影區域。

5.根據權利要求4所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第七通孔在所述基準面上的投影區域還包括第三邊框區域，所述第三邊框區域所包圍的區域與所述第一通孔在所述基準面上的投影區域重合；所述第八通孔在所述基準面上的投影區域還包括第四邊框區域，所述第四邊框區域所包圍的區域與所述第二通孔在所述基準面上的投影區域重合。

6.根據權利要求5所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第三邊框區域的內邊緣與外邊緣之間的距離為2μm～5μm；所述第四邊框區域的內邊緣與外邊緣之間的距離為2μm～5μm。

7.根據權利要求1～3任一項所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述焊接層的材料包括金和錫中的至少一種。

8.根據權利要求1～3任一項所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述焊接層的厚度為2μm～10μm。

9.根據權利要求1～3任一項所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述反射層包括設置在所述P型半導體層上的金屬反射層或內置金屬的布拉格反射層、布拉格反射層。

10.根據權利要求9所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述金屬反射層中的第一通孔在所述基準面上的投影區域的面積，大于所述P型半導體層中的第一通孔在所述基準面上的投影區域的面積。