[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201820258320.0 | 申請日: | 2018-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN208271833U | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發明(設計)人: | 馮傳彰;劉茂林;賴志諱 | 申請(專利權)人: | 辛耘企業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F17D1/14;F17D3/01 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;孫金瑞 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸送管路 基板處理室 流體驅動 偵測單元 偵測 基板處理裝置 輸送總成 流體 單元電連接 單元設置 多個基板 供應流體 驅動流體 訊號控制 狀態維持 對基板 制程 連通 輸出 流動 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于:
所述基板處理裝置包含容器、多個基板處理室,及輸送總成,所述容器用以供應流體,所述基板處理室用以對基板進行處理制程,所述輸送總成包括輸送管路單元、流體驅動單元,及偵測單元,所述輸送管路單元連通于所述容器與所述基板處理室之間,所述流體驅動單元設置于所述輸送管路單元用以驅動所述流體流動至所述基板處理室,所述偵測單元設置于所述輸送管路單元并與所述流體驅動單元電連接,所述偵測單元用以偵測所述流體并產生偵測訊號,所述偵測單元根據所述偵測訊號控制所述流體驅動單元的轉速,使所述輸送管路單元將所述流體輸出至所述基板處理室的狀態維持穩定。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:所述輸送管路單元包含循環管路,及多條輸出管路,所述循環管路與所述容器相連通,所述輸出管路兩端分別連通于所述循環管路與對應的所述基板處理室,所述流體驅動單元包含設置于所述循環管路用以將所述容器內的所述流體排出的第一泵,所述偵測單元為設置于所述循環管路并與所述第一泵電連接的壓力偵測單元,所述偵測單元用以偵測所述循環管路內的所述流體的壓力且產生對應的所述偵測訊號,所述偵測單元根據所述偵測訊號控制所述第一泵的轉速以使所述流體輸出至所述基板處理室的流量維持預設流量。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于:所述第一泵設置于所述容器一側并與所述循環管路一端連通,所述循環管路另一端與所述容器連通。
4.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于:所述偵測單元設置在位于所述輸出管路之后的所述循環管路下游側。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:所述輸送管路單元包含循環管路,及多條輸出管路,所述循環管路的兩端分別與所述容器相連通,所述輸出管路兩端分別連通于所述循環管路與對應的所述基板處理室,所述流體驅動單元包含設置于所述循環管路用以將所述容器內的所述流體排出的第一泵,及多個分別設置于所述輸出管路的第二泵,所述偵測單元包含多個流量偵測模塊,所述流量偵測模塊設置于對應的所述輸出管路并與對應的所述第二泵電連接,所述流量偵測模塊用以偵測對應的所述輸出管路內的所述流體的流量且產生對應的所述偵測訊號,所述流量偵測模塊根據所述偵測訊號控制對應的所述第二泵的轉速以使所述流體輸出至所述基板處理室的所述流量維持預設流量。
6.根據權利要求2至5其中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于:所述輸出管路的長度及管徑相同。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于:所述輸送管路單元還包含與所述容器相連通的回流管路,所述輸送總成還包括多個分別設置于所述輸出管路的控制單元,所述控制單元包含三通閥,所述三通閥具有與對應的所述輸出管路連通的第一輸入端、與對應的所述輸出管路連通的第一輸出端,及與所述回流管路連通的第二輸出端,所述三通閥可在使對應的所述輸出管路內的所述流體流至對應的所述基板處理室的第一狀態,及使對應的所述輸出管路內的所述流體流至所述回流管路的第二狀態之間切換,當所述三通閥在所述第二狀態時,對應的所述輸出管路內的所述流體持續地經由所述回流管路回流至所述容器。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于:所述控制單元還包含設置于對應的所述輸出管路且位于所述循環管路與所述三通閥之間的第一偵測元件,用以偵測對應的所述輸出管路是否有所述流體流動。
9.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于:所述控制單元還包含設置于對應的所述輸出管路且位于對應的所述基板處理室與所述三通閥之間的第二偵測元件,用以偵測對應的所述輸出管路內的所述流體是否流至對應的所述基板處理室內。
10.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于:當所述三通閥在所述第一狀態時,所述循環管路內的所述流體一部分流入所述輸出管路而另一部分持續回流至所述容器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





