[實用新型]一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置及單晶爐

有效

• 申請號: 201820255404.9
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN208008945U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 吳春生;姜宏偉
• 申請（專利權）人: 南京晶能半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B35/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張弛

1.一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，包括排氣圈(1)及安裝在排氣圈(1)外側并自上向下延伸的排氣管(2)；

所述排氣圈(1)包括內圈(11)、圍繞內圈(11)的外圈(12)、環形的頂板(13)、環形的底盤(14)；其中頂板(13)設于內圈(11)及外圈(12)上方；底盤(14)設于內圈(11)及外圈(12)下方；內圈(11)、外圈(12)、頂板(13)、底盤(14)共同圍成環形的引氣通道(15)；所述內圈(11)上設有若干進氣口(16)；所述外圈(12)上設有與排氣管(2)一一對應的出氣口(17)；

所述排氣管(2)包括排氣管肘(21)及自排氣管肘(21)下端延伸的管體(22)；所述排氣管肘(21)的內側設有向外圈凸伸的連接管(23)；該連接管(23)安裝在所述外圈出氣口(17)上并通過出氣口(17)與引氣通道(15)連通；所述進氣口(16)、引氣通道(15)、出氣口(17)、連接管(23)及排氣管(2)均連通。

2.根據權利要求1所述的半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于：所述連接管(23)通過螺栓(24)固定于外圈(12)的外側面；所述螺栓(24)位于引氣通道(15)內，并自引氣通道(15)內向外伸出連接并固定外圈(12)及連接管(23)。

3.根據權利要求2所述的半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于：所述連接管(23)的外圍設有與螺栓(24)配合的螺紋孔(25)。

4.根據權利要求3所述的半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于：所述排氣管(2)設置4個，并均勻的分布在排氣圈(1)的外側。

5.根據權利要求4所述的半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于：所述排氣管肘(21)的上方插入有排氣帽(26)。

6.根據權利要求5所述的半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于：所述排氣圈(1)的下端設有環形的隔熱襯套(3)。

7.一種包括如權利要求1至6中任一項所述半導體級硅單晶爐的排氣裝置的單晶爐，包括坩堝(4)及圍繞坩堝(4)的環形的加熱器(5)，其特征在于：所述排氣圈(1)安裝在加熱器(5)上端外側，且內圈上的進氣口(16)與坩堝(4)內部連通。