[實用新型]基于MOS管的防反與尖峰抑制電路

有效

• 申請號: 201820254512.4
• 申請日: 2018-02-12
• 公開（公告）號: CN207994625U
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 池回強;王勇;李代平;李茂彬;鄭龍生;楊陽;袁方;鄧彥東;蘇敏;黃開文;宋高銀
• 申請（專利權）人: 成都新欣神風電子科技有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00;H02H9/02;H02H9/04
• 代理公司: 四川省成都市天策商標專利事務所 51213
• 代理人: 譚德兵

1.一種基于MOS管的防反與尖峰抑制電路，其特征在于包括分壓電路、二極管D1、電容C1和MOS管；所述分壓電路設置于正輸電線路與負輸電線路之間；所述MOS管漏極與負輸電線路的輸入端連接，所述MOS管源極與負輸電線路的輸出端連接；所述分壓電路上的部分電阻并聯在所述MOS管源極與所述MOS管基極之間；所述電容C1兩端分別與所述MOS管源極與所述MOS管基極連接；所述二極管D1正極與所述MOS管源極連接，所述二極管D1負極與所述MOS管負極連接。

2.根據權利要求1所述的基于MOS管的防反與尖峰抑制電路，其特征在于所述MOS管為N溝道MOS管。

3.根據權利要求1所述的基于MOS管的防反與尖峰抑制電路，其特征在于所述分壓電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R6串聯。

4.根據權利要求3所述的基于MOS管的防反與尖峰抑制電路，其特征在于所述電阻R6連接在所述MOS管源極與所述MOS管基極之間。

5.根據權利要求1所述的基于MOS管的防反與尖峰抑制電路，其特征在于所述二極管D1為穩壓二極管。