[實用新型]一種三結太陽電池

有效

• 申請號: 201820249816.1
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN207834310U
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 姜偉;吳真龍;李俊承;韓效亞;王玉;涂潔磊
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種三結太陽電池，其特征在于，所述三結太陽電池包括：

襯底；

在所述襯底上沿著第一方向依次外延生長的底電池、第一隧穿結、應變反射層結構、第一子電池、第二隧穿結、第二子電池以及接觸層，其中，所述第一方向為垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述底電池的方向，所述應變反射層結構包括多對堆疊設置的應變反射層。

2.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，所述三結太陽電池還包括：

設置在所述底電池與所述第一隧穿結之間的第一緩沖層，其中，所述第一緩沖層為GaAs緩沖層，所述第一緩沖層的厚度范圍為100nm-1um，包括端點值。

3.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，所述三結太陽電池還包括：

設置在所述第一隧穿結與所述應變反射層結構之間的第二緩沖層，其中，所述第二緩沖層為GaAs緩沖層，所述第二緩沖層的厚度范圍為100nm-1um，包括端點值。

4.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，所述三結太陽電池還包括：

設置在所述應變反射層結構與所述第一子電池之間的應變過沖層，其中，所述應變過沖層的厚度范圍為200nm-2000nm，包括端點值，所述應變過沖層的晶格常數相比較所述第一子電池的晶格常數高于10％-50％。

5.根據權利要求4所述的三結太陽電池，其特征在于，所述應變過沖層為Ga_1-y(n+1)In_y(n+1)As應變過沖層，其中，n為所述應變反射層的對數，y(n+1)為第n+1層中In組分的數量，0＜y(n+1)＜1。

6.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，任意一對所述應變反射層包括Al_xGa_1-x-ynIn_ynAs應變反射層和Ga_1-ynIn_ynAs應變反射層，n為所述應變反射層的對數，yn為第n對中In組分的數量，x為Al組分的數量，0.1＜x＜1，0＜yn＜1，其中，所述Ga_1-ynIn_ynAs應變反射層朝向所述襯底設置，所述Al_xGa_1-x-ynIn_ynAs應變反射層背離所述襯底設置。

7.根據權利要求6所述的三結太陽電池，其特征在于，所述多對堆疊設置的應變反射層中的In組分在所述第一方向上連續漸變增加或步進漸變增加，且n對所述應變反射層的反射波長下限為750nm，n對所述應變反射層的反射波長上限大于所述第一子電池光學吸收邊，第1對所述應變反射層的平均晶格常數與所述襯底的晶格常數相互匹配，第n對所述應變反射層的平均晶格常數與所述第一子電池的晶格常數相互匹配。

8.根據權利要求6所述的三結太陽電池，其特征在于，所述Al_xGa_1-x-yIn_yAs應變反射層的厚度范圍為10nm-500nm，包括端點值，所述Ga_1-yIn_yAs應變反射層的厚度范圍為10nm-500nm，包括端點值。

9.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，所述第一隧穿結包括：在所述第一方向上堆疊設置的第一隧穿結N型層和第一隧穿結P型層，其中，所述第一隧穿結N型層為N型GaAs層或N型GaInP層，所述第一隧穿結P型層為含有Al組分的P型GaAs層，所述第一隧穿結N型層的摻雜元素為Si或Te，所述第一隧穿結P型層的摻雜元素為C或Zn。

10.根據權利要求1所述的三結太陽電池，其特征在于，所述第二隧穿結包括：在所述第一方向上堆疊設置的第二隧穿結N型層和第二隧穿結P型層，其中，所述第二隧穿結N型層為含有Al組分的N型GaInP層，所述第二隧穿結P型層為含有Al組分的P型GaAs層，所述第二隧穿結N型層的摻雜元素為Si或Te，所述第二隧穿結P型層的摻雜元素為C或Zn。