[實(shí)用新型]一種單片集成二維磁矢量傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820249259.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN208721778U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙曉鋒;金晨晨;劉紅梅;溫殿忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 黑龍江大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01R33/00 | 分類號(hào)： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京康思博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 劉冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國(guó)省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁敏感 單片集成 檢測(cè) 磁敏三極管 二維磁矢量 測(cè)試電路 二維磁場(chǎng) 方向磁場(chǎng) 方向設(shè)置 二維磁場(chǎng)傳感器 本實(shí)用新型 傳感器結(jié)構(gòu) 并聯(lián)設(shè)置 芯片實(shí)現(xiàn) 制作工藝 傳感器 | ||
1.一種單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，所述傳感器包括作為器件層的第一硅片(1)和作為襯底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上設(shè)置有用于檢測(cè)二維磁場(chǎng)的八個(gè)硅磁敏三極管，并且，兩兩硅磁敏三極管之間為并聯(lián)設(shè)置，其中，
所述八個(gè)硅磁敏三極管分別為硅磁敏三極管一(SMST1)、硅磁敏三極管二(SMST2)、硅磁敏三極管三(SMST3)、硅磁敏三極管四(SMST4)、硅磁敏三極管五(SMST5)、硅磁敏三極管六(SMST6)、硅磁敏三極管七(SMST7)和硅磁敏三極管八(SMST8)，
所述硅磁敏三極管一(SMST1)和硅磁敏三極管二(SMST2)并聯(lián)設(shè)置；
所述硅磁敏三極管五(SMST5)和硅磁敏三極管六(SMST6)并聯(lián)設(shè)置；
所述硅磁敏三極管三(SMST3)和硅磁敏三極管四(SMST4)并聯(lián)設(shè)置；
所述硅磁敏三極管七(SMST7)和硅磁敏三極管八(SMST8)并聯(lián)設(shè)置；
所述硅磁敏三極管一(SMST1)和硅磁敏三極管二(SMST2)在并聯(lián)后與集電極負(fù)載電阻一(RL1)連接，形成第一磁敏感單元(MSE1)；
所述硅磁敏三極管五(SMST5)和硅磁敏三極管六(SMST6)并聯(lián)后與集電極負(fù)載電阻二(RL2)連接，形成第二磁敏感單元(MSE2)；
所述硅磁敏三極管三(SMST3)和硅磁敏三極管四(SMST4)在并聯(lián)后與集電極負(fù)載電阻三(RL3)連接，形成第三磁敏感單元(MSE3)；
所述硅磁敏三極管七(SMST7)和硅磁敏三極管八(SMST8)并聯(lián)后與集電極負(fù)載電阻四(RL4)連接，形成第四磁敏感單元(MSE4)；
所述第一磁敏感單元(MSE1)和第二磁敏感單元(MSE2)沿x軸按相反磁敏感方向設(shè)置，形成第一差分測(cè)試電路，用于x方向磁場(chǎng)(Bx)的檢測(cè)；
所述第三磁敏感單元(MSE3)和第四磁敏感單元(MSE4)沿y軸按相反磁敏感方向設(shè)置，形成第二差分測(cè)試電路，用于y方向磁場(chǎng)(By)的檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元(MSE1)和第二磁敏感單元(MSE2)中，
硅磁敏三極管一(SMST1)的基區(qū)、硅磁敏三極管二(SMST2)的基區(qū)、硅磁敏三極管五(SMST5)的集電區(qū)和硅磁敏三極管六(SMST6)的集電區(qū)沿x軸方向共線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元(MSE1)和第二磁敏感單元(MSE2)中，
硅磁敏三極管一(SMST1)的集電區(qū)、硅磁敏三極管二(SMST2)的集電區(qū)、硅磁敏三極管五(SMST5)的基區(qū)和硅磁敏三極管六(SMST6)的基區(qū)沿x軸方向共線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，在所述第三磁敏感單元(MSE3)和第四磁敏感單元(MSE4)中，
硅磁敏三極管三(SMST3)的基區(qū)、硅磁敏三極管四(SMST4)的基區(qū)、硅磁敏三極管七(SMST7)的集電區(qū)和硅磁敏三極管八(SMST8)的集電區(qū)沿y軸方向共線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，在所述第三磁敏感單元(MSE3)和第四磁敏感單元(MSE4)中，
硅磁敏三極管三(SMST3)的集電區(qū)、硅磁敏三極管四(SMST4)的集電區(qū)、硅磁敏三極管七(SMST7)的基區(qū)和硅磁敏三極管八(SMST8)的基區(qū)沿y軸方向共線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成二維磁矢量傳感器，其特征在于，在第一硅片(1)上、每個(gè)硅磁敏三極管周圍制作有隔離環(huán)(11)，所述隔離環(huán)(11)為n+型摻雜。
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