[實用新型]一種AG蝕刻膜

有效

• 申請號: 201820242207.3
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN208232479U
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 周群飛;饒橋兵;陳成
• 申請（專利權）人: 藍思科技（長沙）有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王洋;趙青朵

1.一種AG蝕刻膜，其特征在于，包括：

玻璃基材；

復合在所述基材上的第一介質材料層；

復合在所述第一介質材料層上的第二介質材料層；

復合在所述第二介質材料層上的第三介質材料層；

復合在所述第三介質材料層上的第四介質材料層；

復合在所述第四介質材料層上的第五介質材料層；

復合在所述第五介質材料層上的第六介質材料層；

復合在所述第六介質材料層上的第七介質材料層；

復合在所述第七介質材料層上的第八介質材料層；

其中，所述第一介質材料層、第三介質材料層、第五介質材料層和第七介質材料層的折射率獨立的選自2.0～2.6；

所述第二介質材料層、第四介質材料層、第六介質材料層和第八介質材料層的折射率獨立的選自1.4～1.8。

2.根據權利要求1所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述玻璃基材為透明玻璃，其正面進行AG蝕刻，背面進行復合膜層；所述透明玻璃正面的粗糙度為0.25～0.35；所述透明玻璃正面的霧度為60～70。

3.根據權利要求1所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第一介質材料層、第三介質材料層、第五介質材料層和第七介質材料層獨立的選自Ti₃O₅層、Na₂O₅層或SI₃N₄層。

4.根據權利要求1所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第二介質材料層、第四介質材料層、第六介質材料層和第八介質材料層的獨立的選自SiO₂層、Al₂O₃層或MgF₂層。

5.根據權利要求1所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第一介質材料層的厚度為122nm～142nm；所述第二介質材料層的厚度為36nm～56nm。

6.根據權利要求5所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第三介質材料層的厚度為109nm～129nm；所述第四介質材料層的厚度為114nm～134nm。

7.根據權利要求6所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第五介質材料層的厚度為41nm～61nm。

8.根據權利要求7所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第六介質材料層的厚度為69nm～89nm。

9.根據權利要求8所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第七介質材料層的厚度為66nm～86nm。

10.根據權利要求9所述的AG蝕刻膜，其特征在于，所述第八介質材料層的厚度為9nm～29nm。