[實用新型]像素排列結構、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201820236163.3 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN207781607U | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 劉利賓;楊倩;王紅麗;皇甫魯江 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小會 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 線段 像素排列結構 像素組 顯示基板 顯示裝置 連線 分辨率 分設 | ||
1.一種像素排列結構,其特征在于,包括多個像素組;
每個像素組包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;
在所述像素組中,所述第二子像素的中心和所述第三子像素的中心的連線為第一線段;所述第一子像素和所述第四子像素位于所述第二子像素和所述第三子像素之間且分設于所述第一線段的兩側;
所述第一子像素的中心和所述第四子像素的中心的連線為第二線段;
所述第二線段的長度小于所述第一線段的長度。
2.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第二線段與所述第一線段的長度之比小于或等于3/4。
3.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第二線段和所述第一線段互相垂直平分。
4.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第二線段與所述第一線段的長度之比大于或等于3/8。
5.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,在所述像素組中,所述第一子像素和所述第四子像素均為條形,所述第一子像素的延伸方向與所述第四子像素的延伸方向不重合。
6.根據權利要求5所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素的延伸方向與所述第四子像素的延伸方向的夾角為70°-100°。
7.根據權利要求5所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素和所述第四子像素相對于所述第一線段對稱排列,和/或者,所述第二子像素和所述第三子像素相對于所述第二線段對稱排列。
8.根據權利要求1-7任一項所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一線段可以沿第一方向延伸,所述第二線段可以沿第二方向延伸;
所述多個像素組呈陣列排列,形成多行和多列,偶數行的像素組和奇數行的像素組錯位排布;
在所述第一方向上相鄰的兩個像素組中的相鄰的第二子像素和第三子像素的中心連線的長度小于所述第一線段的長度;
在相鄰的奇數行或者在相鄰的偶數行中,在所述第二方向上相鄰的兩個像素組中的相鄰的第一子像素和第四子像素的中心連線的長度大于所述第二線段的長度。
9.根據權利要求8所述的像素排列結構,其特征在于,在所述第一方向上相鄰的兩個像素組中的相鄰的第二子像素和第三子像素的中心連線的長度與所述第一線段的比值小于或等于1/2;和/或者,
在相鄰的奇數行或者在相鄰的偶數行中,在所述第二方向上相鄰的兩個像素組中的相鄰的第一子像素和第四子像素的中心連線的長度與所述第二線段的長度的比值大于等于1并且小于等于3。
10.根據權利要求8所述的像素排列結構,其特征在于,每個像素組的所述第二線段的延長線穿過在第二方向上與該像素組相鄰并且位于同一行的兩個像素組的中心連線的中點。
11.根據權利要求10所述的像素排列結構,其特征在于,在相鄰的奇數行或者在相鄰的偶數行中,在所述第二方向上排列的相鄰兩個像素組中的兩個第三子像素的中心連線和位于該兩個第三子像素之間的像素組中的第一線段的交點位于該第一線段的中心與第四子像素的中心之間。
12.根據權利要求8所述的像素排列結構,其特征在于,同一像素組中,所述第二子像素與所述第一子像素之間的最近距離為L1,所述第二子像素與所述第四子像素之間的最近距離為L2,所述第三子像素與所述第一子像素之間的最近距離為L3,所述第三子像素與所述第四子像素之間的最近距離為L4,L1=L2=L3=L4。
13.根據權利要求12所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素或所述第四子像素和在所述第二方向上與其相鄰的且與其不在同一行的像素組中的第二子像素和第三子像素的最近距離分別為L5和L6,L5=L6。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





