[實用新型]一種像素排布結構及相關裝置有效
| 申請號: | 201820235510.0 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN207966994U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 吳海東;李彥松;周威龍;白珊珊;劉月;肖志慧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 虛擬四邊形 對角線 像素排布結構 中心位置處 顯示器件 相關裝置 本實用新型 頂角位置 工藝條件 間距相等 緊密排列 驅動電流 相鄰像素 像素開口 像素排布 中點位置 分辨率 側邊 減小 | ||
本實用新型公開了一種像素排布結構及相關裝置,第一子像素位于第一虛擬四邊形的中心位置處和第一虛擬四邊形的四個頂角位置處;第二子像素位于第一虛擬四邊形的側邊中點位置處;第三子像素位于第二虛擬四邊形內,四個第二虛擬四邊形構成一個第一虛擬四邊形。位于第一虛擬四邊形的中心位置處的第一子像素與位于不同對角線的兩個第三子像素之間的最小間距不同,位于同一對角線的兩個第三子像素之間的最小間距相等,這種像素排布方式與現有相比,在同等工藝條件下可使第一子像素、第二子像素和第三子像素緊密排列,盡可能的減小相鄰像素之間的間距,從而在同等分辨率的條件下增大像素開口面積,降低顯示器件的驅動電流,進而增加顯示器件的壽命。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素排布結構、有機電致發光顯示面板、高精度金屬掩模板及顯示裝置。
背景技術
有機電致發光(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器件是當今平板顯示器研究領域的熱點之一,與液晶顯示器相比,OLED顯示器件具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角及響應速度快等優點,目前,在手機、PDA、數碼相機等平板顯示領域,OLED顯示器件已經開始取代傳統的液晶顯示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED顯示器件的結構主要包括:襯底基板,制作在襯底基板上呈矩陣排列的像素。其中,各像素一般都是通過有機材料利用蒸鍍成膜技術透過高精細金屬掩膜板,在陣列基板上的相應的像素位置形成有機電致發光結構。
但是,目前OLED顯示器件內,像素排布結構中像素之間的距離較大,導致同等分辨率的條件下,像素開口面積較小,從而需要增大驅動電流才能滿足顯示的亮度要求。但是OLED在大的驅動電流下工作容易導致器件老化速度增快,從而縮短OLED顯示器件的壽命。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型實施例提供了一種像素排布結構、有機電致發光顯示面板、高精度金屬掩模板及顯示裝置,用以解決現有OLED器件中存在的像素之間的距離較大的問題。
因此,本實用新型實施例提供了一種像素排布結構,包括:第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虛擬四邊形的中心位置處和所述第一虛擬四邊形的四個頂角位置處;
所述第二子像素位于所述第一虛擬四邊形的側邊中點位置處;
所述第三子像素位于第二虛擬四邊形內,所述第二虛擬四邊形由位于所述第一虛擬四邊形相鄰兩個側邊中點位置處的兩個所述第二子像素、與該兩個所述第二子像素均相鄰且分別位于所述第一虛擬四邊形的中心位置處和所述第一虛擬四邊形的一頂角位置處的所述第一子像素作為頂角順次相連形成,且四個所述第二虛擬四邊形構成一個所述第一虛擬四邊形;
在所述第一虛擬四邊形內,位于所述第一虛擬四邊形的中心位置處的所述第一子像素與位于對角的所述第二虛擬四邊形內的兩個所述第三子像素之間的最小間距相等且為第一間距;位于所述第一虛擬四邊形的中心位置處的所述第一子像素與位于另一對角的所述第二虛擬四邊形內的兩個所述第三子像素之間的最小間距相等且為第二間距,所述第一間距小于所述第二間距。
在一種可能的實現方式中,在本實用新型實施例提供的上述像素排布結構中,在所述第一虛擬四邊形內,位于所述第一虛擬四邊形的中心位置處的所述第一子像素與各所述第二子像素之間的最小間距均相等且為第三間距。
在一種可能的實現方式中,在本實用新型實施例提供的上述像素排布結構中,所述第二間距大于所述第三間距,所述第三間距大于所述第一間距。
在一種可能的實現方式中,在本實用新型實施例提供的上述像素排布結構中,所述第二子像素與相鄰的四個第三子像素之間的最小間距均相等且等于所述第一間距。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





