[實用新型]垂直晶體管

有效

• 申請號: 201820233768.7
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN208045512U
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: A·高蒂爾;G·C·里貝斯
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;李春輝

1.一種垂直晶體管，其特征在于，包括：

絕緣體層，所述絕緣體層包括開口；

其中所述開口包括：

外延半導體材料溝道區域；

在所述溝道區域一側上的外延半導體材料漏極；以及

在所述溝道區域的相對側上的外延半導體材料源極；以及

在絕緣體層內延伸的柵極導體的部分，其中所述柵極導體部分的所述部分的厚度在所述溝道區域附近減小。

2.根據權利要求1所述的垂直晶體管，其特征在于，所述柵極導體的所述部分的厚度在所述溝道區域附近從3.5nm至7nm之間減小到0.5nm至2nm之間。

3.根據權利要求1所述的垂直晶體管，其特征在于，所述源極區域和所述漏極區域之間的所述溝道區域的長度在1nm至5nm之間。

4.根據權利要求1所述的垂直晶體管，其特征在于，所述溝道區域的寬度在7nm至13nm之間。

5.根據權利要求1所述的垂直晶體管，其特征在于，還包括：

源極區層；以及

漏極區層；

其中所述絕緣體層平行于所述源極區層和所述漏極區層延伸，并且被定位在所述源極區層和所述漏極區層之間。

6.根據權利要求1所述的垂直晶體管，其特征在于，所述絕緣體層包括第一部分和第二部分，其中所述柵極導體平行于所述第一部分和所述第二部分延伸并且被定位在所述第一部分和所述第二部分之間，并且其中所述絕緣體層還包括圍繞所述開口并連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第三部分將所述柵極導體與所述溝道區域絕緣。

7.一種垂直晶體管，其特征在于，包括：

摻雜有第一導電型摻雜劑的襯底層；

絕緣層，具有與所述襯底層的頂部表面接觸的底部表面，所述絕緣層還具有頂部表面以及從所述頂部表面通過所述絕緣層延伸到所述底部表面的開口；

導電柵極區域，在所述絕緣層內，并且包括在所述開口的相對側上的柵極部分；

在所述開口內的外延半導體材料溝道區域；

在所述溝道區域的一側上的所述開口內的外延半導體材料漏極；以及

在所述溝道區域的相對側上的所述開口內的外延半導體材料源極；

其中隨著所述柵極部分接近所述開口，在所述開口的相對側上的所述柵極部分的厚度變薄。

8.根據權利要求7所述的垂直晶體管，其特征在于，隨著所述柵極部分接近所述開口，所述柵極部分的厚度從3.5nm至7nm之間減小到0.5nm至2nm之間。

9.根據權利要求7所述的垂直晶體管，其特征在于，所述源極區域和所述漏極區域之間的所述溝道區域的長度在1nm至5nm之間。

10.根據權利要求7所述的垂直晶體管，其特征在于，所述溝道區域的寬度在7nm至13nm之間。

11.根據權利要求7所述的垂直晶體管，其特征在于，還包括在所述絕緣層之上延伸并且與所述開口內的半導體材料接觸的半導體層。