[實用新型]一種光刻膠的收集裝置有效
| 申請號: | 201820231493.3 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN207868178U | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 劉鵬;羅帥;季海銘;徐鵬飛;官成鋼 | 申請(專利權)人: | 江蘇華興激光科技有限公司;武漢凹偉能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;G03F7/26 |
| 代理公司: | 武漢今天智匯專利代理事務所(普通合伙) 42228 | 代理人: | 鄧寅杰 |
| 地址: | 221300 江蘇省徐州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻膠 槽壁 槽體 本實用新型 收集裝置 下水孔 半導體技術領域 一端連接 儲存罐 傾斜狀 生產成本 | ||
1.一種光刻膠的收集裝置,其特征在于,其包括:
槽體,所述槽體包括槽底和槽壁,所述槽底呈中部高外緣低的傾斜狀,所述槽壁相對于槽底向外傾斜,所述槽底與槽壁內側的連接處設有用于引導流向的凹槽,所述凹槽內設有下水孔;
設于槽體底部的管路,所述管路一端連接于所述下水孔;
連接于管路另一端的儲存罐。
2.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述槽體的水平截面為圓形。
3.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述槽底中部最高點位置的高度為6mm~8mm。
4.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述槽底的傾斜角度為5~10°。
5.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述槽底的傾斜角度為6度。
6.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述槽底的中心處設有用于放置勻膠機的支座。
7.根據權利要求6所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述支座的高度小于槽壁高度。
8.根據權利要求7所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述支座的高度為12mm~16mm;所述槽壁的高度為50mm~70mm。
9.根據權利要求7所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述支座的高度為15mm;所述槽壁的高度為60mm。
10.根據權利要求1所述的光刻膠的收集裝置,其特征在于:所述管路為一體無連接緩坡結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇華興激光科技有限公司;武漢凹偉能源科技有限公司,未經江蘇華興激光科技有限公司;武漢凹偉能源科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820231493.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種降低黑硅花籃印比例的花籃
- 下一篇:綜合下料式硅片分選機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





