[實用新型]正面出光的高壓LED微顯示裝置

有效

• 申請號: 201820223875.1
• 申請日: 2018-02-08
• 公開（公告）號: CN207743228U
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 沈學如
• 申請（專利權）人: 澳洋集團有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/77;H01L33/36;H01L33/04;H01L33/32;G09F9/33
• 代理公司: 蘇州市港澄專利代理事務所(普通合伙) 32304
• 代理人: 馬麗麗

本申請公開了一種正面出光的高壓LED微顯示裝置，包括：一襯底；以及集成于所述襯底上的多個發光單元，每個所述發光單元分別包括依次形成于所述襯底上的外延層、ITO薄膜層和SiO₂鈍化層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型GaN層、量子阱層和P型GaN層，還包括：成行排列的多條P電極，每條P電極分別與位于該行的所有發光單元的ITO薄膜層電性連接；成列排列的多條N電極，每條N電極分別與位于該列的所有發光單元的N型GaN層電性連接，所述SiO₂鈍化層分隔于所述P電極和N電極之間。本實用新型裝置直接作為顯示裝置，不需要額外的驅動電路，成本低，而且出光率高。

技術領域

本申請涉及LED技術領域，特別是涉及一種正面出光的高壓LED微顯示裝置。

背景技術

大功率的LED，其通常工作在大電流下，電流擴展問題嚴重影響其性能。電流擴展不均容易導致電流擁擠，大大降低器件的發光效率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種正面出光的高壓LED微顯示裝置，以克服現有技術中的不足。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

本申請實施例公開一種正面出光的高壓LED微顯示裝置，包括：

一襯底；以及

集成于所述襯底上的多個發光單元，每個所述發光單元分別包括依次形成于所述襯底上的外延層、ITO薄膜層和SiO₂鈍化層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型GaN層、量子阱層和P型GaN層，還包括：

成行排列的多條P電極，每條P電極分別與位于該行的所有發光單元的ITO薄膜層電性連接；

成列排列的多條N電極，每條N電極分別與位于該列的所有發光單元的N型GaN層電性連接，

所述SiO₂鈍化層分隔于所述P電極和N電極之間。

優選的，在上述的正面出光的高壓LED微顯示裝置中，ITO薄膜的厚度為230nm。

優選的，在上述的正面出光的高壓LED微顯示裝置中，所述襯底采用藍寶石襯底。

優選的，在上述的正面出光的高壓LED微顯示裝置中，所述P電極和N電極的材料為Cr/Au金屬。

優選的，在上述的正面出光的高壓LED微顯示裝置中，所述量子阱層采用InGaN/GaN結構。

優選的，在上述的正面出光的高壓LED微顯示裝置中，所述量子阱層由4個量子阱且阱層厚度為4nm的量子阱組成。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：本實用新型裝置直接作為顯示裝置，不需要額外的驅動電路，成本低，而且出光率高。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1所示為本實用新型具體實施例中高壓LED微顯示裝置的結構示意圖；

圖2所示為本實用新型具體實施例中P電極和N電極排列結構的俯視圖。

具體實施方式