[實用新型]一種形狀記憶鐳射膜有效
| 申請號： | 201820207852.1 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN208101254U | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發明（設計）人： | 溫靜;張學斌 | 申請（專利權）人： | 江蘇新光鐳射包裝材料股份有限公司 |
| 主分類號： | B32B27/08 | 分類號： | B32B27/08;B32B27/30;B32B27/36;B32B33/00;B32B7/12;B32B37/00;B32B37/12;B32B38/06;B65D65/40 |
| 代理公司： | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人： | 趙海波;孫燕波 |
| 地址： | 214400 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形狀記憶合金層 上表面 信息層 本實用新型 形狀記憶 基底層 鐳射膜 阻隔層 自動化生產 磁控濺射 均勻噴涂 涂料附著 成品率 能力強 硬挺度 膠粘 貼合 損傷 修復 | ||
1.一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：由下而上依次為基底層(1)、信息層(2)、形狀記憶合金層(3)、阻隔層(4)，信息層(2)均勻噴涂于基底層(1)上表面，形狀記憶合金層(3)采用磁控濺射鍍于信息層上表面，阻隔層采用膠粘均勻貼合于形狀記憶合金層(3)上表面。
2.根據權利要求1所述的一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：所述基底層選用雙向拉伸聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜中的一種，且基底層上表面刻畫有能增加涂料粘附力和釋放基底層過大張力的第一細溝槽，所述第一細溝槽縱橫交錯構成第一細溝槽格網。
3.根據權利要求2所述的一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：所述第一細溝槽的槽深和槽寬均設為基底層材料厚度的1/100～1/10。
4.根據權利要求1所述的一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：阻隔層選用聚偏二氯乙烯類，且阻隔層具有鏤空結構，并于其邊緣設置增加膠料粘附力和釋放阻隔層過大張力的第二細溝槽。
5.根據權利要求4所述的一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：所述第二細溝槽的槽深和槽寬均設為阻隔層厚度的1/100～1/10。
6.根據權利要求5所述的一種形狀記憶鐳射膜，其特征在于：所述阻隔層的鏤空結構為保留本體四周區域，中間設置為凹槽，其鏤空高度尺寸設為阻隔層本體材料厚度的1/10～1/5，鏤空邊緣寬度尺寸設為阻隔層本體材料寬度的1/6～1/4。
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