[實(shí)用新型]一種性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820194429.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207993903U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王營(yíng);葉志;劉妮;劉旸 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L45/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻變存儲(chǔ)器 阻變層 底電極 頂電極 導(dǎo)電氧化物薄膜 可調(diào)控 本實(shí)用新型 激活電壓 氧空位 變性 襯底 調(diào)控 | ||
1.一種性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，自上而下依次為襯底、底電極、阻變層、頂電極，其特征在于，所述阻變存儲(chǔ)器還包括透明導(dǎo)電氧化物薄膜，設(shè)置于底電極與阻變層之間、頂電極與阻變層之間、或同時(shí)設(shè)置于底電極與阻變層之間和頂電極與阻變層之間，通過(guò)改變導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量實(shí)現(xiàn)對(duì)阻變存儲(chǔ)器的激活電壓和阻值比的調(diào)控。
2.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為ITO、AZO、IZO、GZO或IGZO薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度為3nm～200nm。
4.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度為60nm～160nm。
5.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底電極和頂電極的厚度均為20nm～500nm。
6.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻變層的厚度為2nm～300nm。
7.如權(quán)利要求1所述的性能可調(diào)控且穩(wěn)定性高的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻變存儲(chǔ)器采用磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積、熱蒸發(fā)、原子層沉積、脈沖激光沉積、化學(xué)溶液或外延生長(zhǎng)制備獲得。
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