[實用新型]鍺納米膜柔性透明型頂?shù)纂p柵薄膜晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820194090.6 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN208111448U | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 秦國軒;裴智慧 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人： | 劉國威 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米膜 雙柵薄膜晶體管 薄膜晶體管 本實用新型 柵極介質(zhì)層 控制力 氧化鋅 透明 光電器件領(lǐng)域 柔性集成電路 源漏電極層 底柵電極 工作頻率 柔性器件 氧化銦錫 塑料襯 柵氧層 晶體管 漏極 源極 穿戴 制造 對稱 應(yīng)用 智能 制作 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種鍺納米膜柔性透明型頂?shù)纂p柵薄膜晶體管，其特征是，結(jié)構(gòu)由下至上依次為PEN塑料襯底、氧化銦錫ITO底柵電極層、氧化鋅柵極介質(zhì)層、N型摻雜的鍺納米膜、ITO源漏電極層、頂部氧化鋅柵極介質(zhì)層及頂部柵氧層，所述N型摻雜的鍺納米膜是在鍺納米膜內(nèi)形成有兩處對稱的N摻雜區(qū)，一處N摻雜區(qū)上方為源極，另一處N摻雜區(qū)上方為漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的鍺納米膜柔性透明型頂?shù)纂p柵薄膜晶體管，其特征是，在頂部柵氧層、ITO底柵電極層之間添加偏壓，在源漏極下方摻雜區(qū)靠近柵氧化物之處會形成電子反型層，作為器件的導(dǎo)電溝道，器件導(dǎo)通，隨后在源漏電極之間加上偏壓，器件將會開始工作。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
