[實用新型]硅基光波導芯片與垂直腔面發射激光器的封裝結構有效
| 申請號： | 201820186933.8 | 申請日： | 2018-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN208060764U | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 劉露露;阮子良;張浩;溫雪沁;朱運濤;劉柳;陳偉 | 申請（專利權）人： | 蘇州易纜微光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;H01S3/02 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 滕詣迪 |
| 地址： | 215500 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直腔面發射激光器 硅基光波導 耦合器 芯片 封裝結構 硅基光源 金屬導線 傾斜光柵 錫焊點 封裝 制作 絕緣層 二氧化硅絕緣層 硅基光柵耦合器 絕緣體上硅芯片 工作波長帶寬 硅基光子集成 本實用新型 光柵耦合器 硅波導結構 傳統光柵 倒裝焊接 二階反射 耦合效率 激光器 耦合 光模塊 沉積 對準 應用 | ||
1.一種硅基光波導芯片，其特征在于：包括硅襯底、埋氧層，頂硅層，二氧化硅絕緣層、金屬導線、焊點、以及垂直腔面發射激光器;
從下至上依次排布襯底、埋氧層，頂硅層，二氧化硅絕緣層；所述頂硅層上有硅波導、基于傾斜光柵耦合器，所述傾斜光柵耦合器附近的埋氧層被挖空，因此光柵耦合器的一端與所述硅襯底接觸，形成傾斜結構；所述二氧化硅絕緣層之上有所述金屬導線，所述金屬導線之上有所述焊點。
2.根據權利要求1所述的硅基光波導芯片，其特征在于：所述傾斜結構與水平方向的夾角在4°-15°之間。
3.根據權利要求1所述的硅基光波導芯片，其特征在于，所述硅襯底厚度為50-1000um；所述埋氧層厚度為500-4000nm；所述頂硅層厚度為70-500nm。
4.根據權利要求1所述的硅基光波導芯片，其特征在于，所述傾斜光柵耦合器寬度為7-14um，與激光器光束的模斑尺寸相當。
5.根據權利要求1所述的硅基光波導芯片，其特征在于，所述金屬導線采用金、鋁低電阻率金屬制作，厚度在20-5000nm之間。
6.根據權利要求1所述的硅基光波導芯片，其特征在于，所述焊點采用金錫合金制作，厚度在500-50000nm之間。
7.一種硅基光波導芯片與垂直腔面發射激光器的封裝結構，其特征在于，包括權利要求1所述的一種基于絕緣體上硅基底的硅光子芯片和垂直腔面發射激光器，所述垂直腔面發射激光器，包含有半導體襯底，其兩端設有陽極金屬和陰極金屬，半導體襯底中間設有光孔，所述激光器光孔正對所述傾斜光柵耦合器的傾斜光柵中心部分。
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