[實用新型]低副瓣波導縫隙陣列天線

有效

• 申請號: 201820184893.3
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN208111677U
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 黃季甫;李東曉;尤清春;秦麗婷;尤陽
• 申請（專利權）人: 蘇州靈致科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/06
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 成春榮;竺云

1.一種低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，包括饋電層和輻射層，所述饋電層位于所述輻射層下方；

所述饋電層包括多個H型單脊波導功分單元，所述H型單脊波導功分單元包括多個H面單脊波導功分器，所述H面單脊波導功分器用于將來自標準波導口的單路TE10模轉化為多路TE10模信號；

所述多路TE10模信號之間的功率不同，相位相同；所述多路TE10模信號之間的功率的比例由不等分分布決定。

2.根據權利要求1所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述H面單脊波導功分器是T型單脊波導功分器。

3.根據權利要求1所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述饋電層包括饋電網絡，所述饋電網絡包括多個H型單脊波導功分單元，所述H型單脊波導功分單元包括3個T型單脊波導功分器。

4.根據權利要求1所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述不等分分布包括泰勒分布，切比雪夫分布或二項式分布。

5.根據權利要求2所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述輻射層包括從下至上層疊的第一輻射單元、第二輻射單元和第三輻射單元；所述第一輻射單元包括第一金屬平板和設置在所述第一金屬平板上的第一輻射陣列，所述第一輻射陣列包括間隔設置的多個輻射腔。

6.根據權利要求5所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述第二輻射單元包括第二金屬平板和設置在所述第二金屬平板上的第二輻射陣列，所述第二輻射陣列包括多個間隔設置的第一輻射組，所述第一輻射組與所述輻射腔一一對應連通，所述第一輻射組包括多個第一輻射孔，所述第二金屬平板的下表面設置有多個第二矩形凹腔，所述第二矩形凹腔位于兩行所述第一輻射孔中間，通過微調所述第二矩形凹腔的位置來微調兩行所述第一輻射孔的能量比例。

7.根據權利要求6所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述第三輻射單元包括第三金屬平板和設置在所述第三金屬平板上的第三輻射陣列，所述第三輻射陣列包括多個間隔設置的第二輻射組，所述第二輻射組與所述第一輻射組一一對應連通。

8.根據權利要求2所述低副瓣波導縫隙陣列天線，其特征在于，所述T型單脊波導功分器包括三段T型間斷放置的金屬脊和矩形底板，所述矩形底板分別與所述金屬脊連接，并且所述矩形底板與所述金屬脊之間設置有方形波導空腔,通過調節所述金屬脊與T型交匯處之間的距離來調節功率分配比例，所述矩形底板與金屬脊均用于阻抗匹配。