[實用新型]一種可變結構壓控振蕩器有效
| 申請號： | 201820180361.2 | 申請日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN207926527U | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 許美程;沈劍均 | 申請（專利權）人： | 江蘇星宇芯聯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/12 | 分類號： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 南京蘇創專利代理事務所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 蔣真 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓控振蕩器 可變結構 多晶硅電阻 功耗 平面螺旋電感 電路結構 降低性能 | ||
1.一種可變結構壓控振蕩器，其特征是包含第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一MIM電容C1、第二MIM電容C2、第三MIM電容C3、第一多晶硅電阻R1、第二多晶硅電阻R2、第一平面螺旋電感L1、第一CMOS開關S1、第二CMOS開關S2、第三CMOS開關S3和第四CMOS開關S4，其中，第一MOS管M1的源極和第二MOS管M2的源極均接地，第一MOS管M1的柵極、第一CMOS開關S1的正極、第二多晶硅電阻R2的負極和第二MIM電容C2的負極四者相互相連，第二MOS管M2的柵極、第一CMOS開關S1的負極、第一多晶硅電阻R1的負極和第一MIM電容C1的負極四者相互相連，第一MOS管M1的漏極與負極輸出電壓Voutn相連，第二MOS管M2的漏極與正極輸出電壓Voutp相連；第一MIM電容C1的負極與負極輸出電壓Voutn相連，第二MIM電容C2的負極與正極輸出電壓Voutp相連；第一多晶硅電阻R1的正極、第二多晶硅電阻R2的正極、第二CMOS開關S2的正極和第三CMOS開關S3的正極四者相互相連；第二CMOS開關S2的負極與負輸入電壓Vn相連；第三CMOS開關S3的負極、第一平面螺旋電感L1的中心抽頭和第四CMOS開關S4的負極三者相互相連；第一平面螺旋電感L1的正極與正極輸出電壓Voutp相連，第一平面螺旋電感L1的負極與負極輸出電壓Voutn相連；第三MIM電容C3的正極與正極輸出電壓Voutp相連，第三MIM電容C3的負極與負極輸出電壓Voutn相連；第三MOS管M3的源極和第四MOS管M4的源極均接電源VDD，第三MOS管M3的柵極與第四MOS管M4的漏極均和正極輸出電壓Voutp相連，第四MOS管M4的柵極與第三MOS管M3的漏極和負極輸出電壓Voutn相連，
適當提高功耗來滿足性能指標的步驟：將第一CMOS開關S1、第二CMOS開關S2和第四CMOS開關S4閉合，第三CMOS開關S3關斷，第一MOS管M1和第二MOS管M2的柵極偏置電壓由負輸入電壓Vn提供，因此壓控振蕩器處于單PMOS管交叉耦合振蕩模式。
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