[實用新型]一種復合襯底結構有效

申請號：	201820174780.5	申請日：	2018-02-01
公開（公告）號：	CN207852692U	公開（公告）日：	2018-09-11
發明（設計）人：	趙中陽	申請（專利權）人：	北京派克貿易有限責任公司
主分類號：	H01L31/0236	分類號：	H01L31/0236;H01L31/074;H01L31/109;H01L31/18
代理公司：	北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙) 11226	代理人：	常玉明;張蘭海
地址：	100000 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	復合襯底結構石墨烯襯底半導體光電探測器元件光電轉換效率光伏電池元件導電效率光電材料光伏電池光透過率光吸收層石墨烯層肖特基結耗盡層外延層制備制作
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【權利要求書】：

1.一種復合襯底，具有GaAs基底結構(101)，其特征在于，在GaAs基底結構(101)上設置有本征GaAs層(2)，在本征GaAs層(2)上設置有n型GaAs層(3)，n型GaAs層為經過蝕刻處形成具有凹槽(105)的圖形化結構，在n型GaAs層的圖形化結構的凹槽(105)中設置有石墨烯和GaAs混合材料層(106)，在n型GaAs層上設置有石墨烯層(4)。

2.如權利要求1所述的復合襯底結構，其特征在于，在石墨烯和GaAs混合材料層(106)中的石墨烯包括墨烯顆粒和石墨烯量子點結構，GaAs：石墨烯＝1:2-1:50質量比。

3.一種復合襯底，具有GaAs基底結構(101)，其特征在于，在GaAs基底結構(101)上設置有本征GaAs層(2)，在本征GaAs層(2)上設置有n型GaAs層(3)，n型GaAs層為經過蝕刻處形成具有凹槽(105)的圖形化結構，石墨烯材料層(104)填充至圖形化結構的凹槽(105)之中，并覆蓋在n型GaAs層之上。

4.如權利要求3所述的復合襯底，其特征在于，所述凹槽(105)的截面為V型或U型結構，所述圖形化結構的凹槽(105)的面積占N型GaAs層有效工作面積的10％-60％。

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