[實用新型]一種MoS2基量子阱型調制摻雜場效應晶體管

有效

• 申請號: 201820167764.3
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN207834306U
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 李國強;黃烈根;王文樑;鄭昱林
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳智英

1.一種MoS₂基量子阱型調制摻雜場效應晶體管，其特征在于：自下至上依次包括襯底、AlN緩沖層、AlGaN緩沖層、GaN層、量子阱型結構層，所述量子阱型結構層為MoS_2xSe_2(1-x)層/MoS₂層/MoS_2xSe_2(1-x)層；所述量子阱型結構層的上方設有源電極、漏電極和柵電極；柵電極設置在源電極和漏電極之間。

2.根據權利要求1所述MoS₂基量子阱型調制摻雜場效應晶體管，其特征在于：量子阱型結構層中MoS_2xSe_2(1-x)層相同或不同，0.2≤x≤0.9。

3.根據權利要求1所述MoS₂基量子阱型調制摻雜場效應晶體管，其特征在于：所述襯底包括藍寶石、Si、SiC、GaN、ZnO、LiGaO₂、LaSrAlTaO₆、Al或Cu；

源電極和漏電極為MoO₃/Au、Ti/Al/Ni/Au或Ni/Au，Au位于最頂層；

柵電極為ZrO₂/Ni或TiO₂/Ni，ZrO₂、TiO₂設置于量子阱型結構層的上方。

4.根據權利要求1所述MoS₂基量子阱型調制摻雜場效應晶體管，其特征在于：MoS_2xSe_2(1-x)層的厚度為10-30nm，MoS₂層的厚度為5-20nm；AlN緩沖層的厚度為100-250nm；AlGaN緩沖層的厚度為300～500nm，AlGaN緩沖層中Al/N摩爾比＝0.1～0.9；GaN層的厚度為400～1500nm。