[實(shí)用新型]面陣列像素探測(cè)器及輻射探測(cè)系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820164734.7
• 申請(qǐng)日: 2018-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN207867042U
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張嵐;顧鐵;劉柱;王偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奕瑞新材料科技（太倉）有限公司
• 主分類號(hào): G01T7/00
• 分類號(hào): G01T7/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種面陣列像素探測(cè)器，其特征在于，所述面陣列像素探測(cè)器至少包括：

像素陣列陽極、探測(cè)介質(zhì)及陰極；

所述像素陣列陽極位于所述探測(cè)介質(zhì)的第一表面，所述像素陣列陽極包括多個(gè)像素陽極，各像素陽極感應(yīng)不同位置的光子信號(hào)；

所述探測(cè)介質(zhì)介于所述像素陣列陽極與所述陰極之間；

所述陰極位于所述探測(cè)介質(zhì)的第二表面，所述陰極包括若干陰極電極塊，各陰極電極塊相互獨(dú)立，其中，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面陣列像素探測(cè)器，其特征在于：所述探測(cè)介質(zhì)的材料為碲鋅鎘、鍺，砷化鎵，碘化汞或溴化鉈。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面陣列像素探測(cè)器，其特征在于：所述陰極均分或非均勻分割為若干陰極電極塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面陣列像素探測(cè)器，其特征在于：所述探測(cè)介質(zhì)為圓柱形、棱柱形、錐臺(tái)、棱臺(tái)、球形或半球形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面陣列像素探測(cè)器，其特征在于：所述探測(cè)介質(zhì)的截面為扇面形或梯形。

6.一種輻射探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射探測(cè)系統(tǒng)至少包括：

半導(dǎo)體探測(cè)裝置及與所述半導(dǎo)體探測(cè)裝置的輸出端連接的數(shù)據(jù)處理校正顯示裝置，所述半導(dǎo)體探測(cè)裝置用于檢測(cè)光子信號(hào)，所述數(shù)據(jù)處理校正顯示裝置用于對(duì)所述半導(dǎo)體探測(cè)裝置輸出信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理；其中，所述半導(dǎo)體探測(cè)裝置包括：

如權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的面陣列像素探測(cè)器，所述面陣列像素探測(cè)器用于光子信號(hào)的檢測(cè)；

多通道能譜讀出模塊，連接所述面陣列像素探測(cè)器，分別讀取所述面陣列像素探測(cè)器中的像素陣列陽極及各陰極電極塊上的信號(hào)；

數(shù)據(jù)采集模塊，連接所述多通道能譜讀出模塊，對(duì)所述多通道能譜讀出模塊輸出的信號(hào)進(jìn)行采集。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述光子信號(hào)包括X射線或γ射線。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述半導(dǎo)體探測(cè)裝置為伽馬譜儀，伽馬相機(jī)或康普頓相機(jī)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述數(shù)據(jù)處理校正顯示裝置為PC機(jī)。