[實用新型]閃爍晶體、晶體模塊、檢測器及正電子發射成像設備

有效

• 申請號: 201820161843.3
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN207752160U
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 應高陽;黃秋;楊明明;龔政;蘇志宏;彭旗宇
• 申請（專利權）人: 東莞南方醫大松山湖科技園有限公司;廣東順德南方醫大科技園有限公司;廣東影諾數字醫學科技有限公司
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202;G01T1/29
• 代理公司: 北京睿邦知識產權代理事務所(普通合伙) 11481
• 代理人: 徐丁峰;付偉佳

1.一種閃爍晶體，包括入射面、側面和與光傳感器相耦合的出光面，所述側面上附著有反射膜層，其特征在于，所述閃爍晶體在所述側面位置與所述反射膜層之間耦合有透射膜層，所述透射膜層的折射率n2與所述閃爍晶體的折射率n1之間的關系為：n2＜n1，所述透射膜層與所述反射膜層之間設置有表面微結構。

2.根據權利要求1所述的閃爍晶體，其特征在于，所述出光面上附著有第一透射膜層和第二透射膜層，所述第一透射膜層靠近所述閃爍晶體設置，所述第二透射膜層相比較所述第一透射膜層更遠離所述閃爍晶體，所述第一透射膜層的折射率n3與所述閃爍晶體的折射率n1之間的關系為：n3＝n1±0.1。

3.根據權利要求2所述的閃爍晶體，其特征在于，所述第一透射膜層和所述第二透射膜層之間設置有表面微結構。

4.根據權利要求2或3所述的閃爍晶體，其特征在于，所述第二透射膜層的折射率n4與所述光傳感器的折射率n5之間的關系為：n4＝n5±0.1。

5.根據權利要求1所述的閃爍晶體，其特征在于，所述入射面設置有使經過所述入射面的光子聚光直接反射到所述出光面的聚光結構。

6.根據權利要求5所述的閃爍晶體，其特征在于，所述聚光結構包括朝遠離所述出光面方向凸出的凸面以及附著于所述凸面上的反射膜。

7.根據權利要求5所述的閃爍晶體，其特征在于，所述聚光結構包括頂點朝遠離所述出光面方向設置的錐形體以及附著于所述錐形體上的反射膜。

8.一種晶體模塊，包括由多個如權利要求1-7中任意一項所述的閃爍晶體組成的閃爍晶體陣列。

9.一種用于發射成像設備的檢測器，包括晶體模塊和光電傳感器陣列，其特征在于，所述晶體模塊為權利要求8所述的晶體模塊，所述光電傳感器陣列包括多個光電傳感器，所述多個光電傳感器中的一個分別耦合至一個所述閃爍晶體的所述出光面，或所述多個光電傳感器中的至少一個分別耦合至多個所述閃爍晶體的所述出光面。

10.一種正電子發射成像設備，包括如權利要求9所述的檢測器。