[實用新型]一種薄膜型AlGaInP發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201820161161.2
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN207967032U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 李樹強;陳芳;郭醒;吳小明;王光緒;劉軍林;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌黃綠照明有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/38
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，包括：具有正反面的鍵合基板；其特征在于：從鍵合基板正面往上依次為：基板側金屬鍵合層、外延側金屬鍵合層、P面擴散阻擋金屬層、P面反射歐姆接觸層；從P面反射歐姆接觸層往上依次為P型電流擴展層、P型限制層、P側空間層、多量子阱發光區、N側空間層、N型限制層、N型粗化層、N型歐姆接觸層，N電極；鍵合基板的反面為P電極；P面反射歐姆接觸層為Ag或者Ni/Ag疊層金屬結構，與P型電流擴展層形成良好的歐姆接觸，同時具備光反射和歐姆接觸功能。

2.根據權利要求1所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：在非粗化的N型歐姆接觸層的上面制備N電極，N電極為Au/Ge/Ni疊層結構；每個N電極正對位置為P面反射歐姆接觸層的間隔區，且N電極的中心與P面反射歐姆接觸層的中心相對應，N電極的寬度a小于P面反射歐姆接觸層的間距b，并滿足a=x*b，x=0.7~0.9。

3.根據權利要求2所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：N電極的寬度a為1~20 μm。

4.根據權利要求1所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：P面反射歐姆接觸層使用的Ni/Ag金屬為疊層，厚度分別為0.1~1nm和100~300nm。

5.根據權利要求1所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：P面擴散阻擋金屬層在P面反射歐姆接觸層以外的區域與P型電流擴展層之間為非歐姆接觸。

6.根據權利要求1所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：基板側金屬鍵合層和外延材料側金屬鍵合層的材料均為Sn、In、Ag、Au其中一種或多種。

7.根據權利要求1所述的薄膜型AlGaInP發光二極管芯片，其特征在于：P面擴散阻擋金屬層的材料為Cr、Ti、Pt、Au、Ni、Wu、Cu其中一種或金屬合金TiW、FeNiCr、FeCoCr其中一種。