[實用新型]一種有源濾波器的時間常數的校準電路有效
| 申請號: | 201820160141.3 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN207691768U | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發明(設計)人: | 付永文 | 申請(專利權)人: | 上海航天芯銳電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03H17/02 | 分類號: | H03H17/02 |
| 代理公司: | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 張寧展 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區自由貿*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源濾波器 時間常數 校準電路 電路 電路時間常數 時間常數校準 數字邏輯電路 本實用新型 參數偏差 電容陣列 工藝制造 斜坡電壓 自動校準 校準 比較器 積分器 | ||
1.一種有源濾波器的時間常數的校準電路,其特征在于:包括有源濾波器的被校準電容陣列電路(CBANK)、產生斜坡電壓的積分器電路、比較器電路和數字邏輯電路,
所述的被校準電容陣列電路(CBANK)包括N個電容(C1~CN)和N個NMOS開關(N1~NN),N為大于1的自然數,第1電容(C1)和第1NMOS開關(N1)串聯,第2電容(C2)和第2NMOS開關(N2)串聯,…,第N電容(CN)和第NNMOS開關(NN)串聯,N個電容和N個NMOS開關形成的串聯支路再并聯;所述的第1電容(C1)的設計容值為Cu,第2電容(C2)的設計容值為2Cu,第3電容(C3)的設計容值為4Cu,…,第N電容(CN)的設計容值為2N-1Cu,所有電容(C1~CN)的公共端為被校準電容陣列(CBANK)的輸入端,N個NMOS開關(N1~NN)的公共端為被校準電容陣列(CBANK)的輸出端,N個NMOS開關(N1~NN)的柵極與所述的數字邏輯電路的控制信號C[N-1:0]的輸出端相連;所述被校準電容陣列(CBANK)與有源濾波器的電阻(R)構成有源濾波器時間常數;
所述的產生斜坡電壓的積分器電路包括電流源產生電路、電流鏡像電路和開關控制電路,所述的電流源產生電路包括運算放大器(Opamp)、電阻(REF)和第一NMOS管(M1),所述的電流鏡像電路包括兩個PMOS管(P0、P1),所述的開關控制電路包括由第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)的漏極相連構成互補開關,和第四NMOS管(M4)構成的放電開關;所述的運算放大器(Opamp)的正相輸入端接一基準電壓(VREF),反相輸入端接電阻(REF)的一端,該電阻(REF)的另一端接地,運算放大器(Opamp)的輸出端接第一NMOS管(M1)的柵極,第一NMOS管(M1)的源極接運算放大器(Opamp)的反相輸入端,第一NMOS管(M1)的漏極接第一PMOS管(P0)的漏極,第一PMOS管(P0)的柵極分別與自身的漏極以及第二PMOS管(P1)的柵極連接,所述的第一PMOS管(P0)和第二PMOS管(P1)的源極接電源(VDD),所述的第二PMOS管(P1)的漏極接互補開關的第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3)的漏極公共端,第二NMOS管(M2)的源極接地,第三NMOS管(M3)的源極接被校準電容陣列(CBANK)的輸入端,所述的被校準電容陣列(CBANK)的輸出端接地,所述的第四NMOS管(M4)的漏極接被校準電容陣列(CBANK)的輸入端,第四NMOS管(M4)的源極接地;
所述的比較器(CMP)的正相端接所述的基準電壓(VREF),比較器(CMP)的負相端接被校準電容陣列(CBANK)的輸入端,比較器(CMP)的輸出端與所述的數字邏輯電路的誤差信號輸入端(ERR)相連;
所述的數字邏輯電路包括數字濾波器(102)和時序控制電路(101),所述的數字濾波器(102)的信號輸入端接所述的比較器(CMP)的輸出端,數字濾波器(102)的輸出端輸出的N位控制字C[N-1:0]分別依次接所述校準電路電容陣列(CBANK)的N個NMOS管(N1~NN)的柵極,所述的時序控制電路(101)產生的控制信號包括S1、S1n、S2、S3、RST和T,所述的S1n控制信號、S1控制信號和RST控制信號分別施加在所述的第二NMOS管(M2)的柵極、第三NMOS管(M3)的柵極和第四NMOS管(M3)的柵極,S2為有源濾波器被校準電容陣列(CBANK)與有源濾波器主體電路分離的控制信號,T為電容陣列充電周期,CLK是施加在數字邏輯電路的時序控制信號。
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