[實用新型]一種復(fù)合能量采集電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820149248.8 | 申請日： | 2018-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN207835157U | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 夏銀水;王修登;施閣;葉益迭;錢利波;夏樺康 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學(xué) |
| 主分類號： | H02J15/00 | 分類號： | H02J15/00;H02J7/32;H02J7/34 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程天鵬 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 峰值檢測模塊 電感 儲能電容 壓電片 二極管 采集電路 復(fù)合能量 斷開 本實用新型 零電位切換 溫差發(fā)電片 導(dǎo)通開關(guān) 電荷轉(zhuǎn)移 電路產(chǎn)生 寄生電容 兩端電壓 能量采集 能量通過 整體電路 電荷 自供電 存儲 積累 | ||
1.一種復(fù)合能量采集電路，其特征在于包括溫差發(fā)電片、壓電片、正峰值檢測模塊、負(fù)峰值檢測模塊、零電位切換模塊、第一電感、第一二極管、第一儲能電容、第二儲能電容和負(fù)載，所述的溫差發(fā)電片的第1引腳、所述的第一儲能電容的一端及所述的第一電感的一端連接，所述的第一電感的另一端、所述的正峰值檢測模塊的輸入端、所述的負(fù)峰值檢測模塊的輸入端及所述的第一二極管的正極連接，所述的第一二極管的負(fù)極、所述的第二儲能電容的正極及所述的負(fù)載的一端連接，所述的正峰值檢測模塊的正極、所述的負(fù)峰值檢測模塊的負(fù)極、所述的壓電片的第1引腳及所述的零電位切換模塊的第一輸入端連接，所述的正峰值檢測模塊的負(fù)極、所述的負(fù)峰值檢測模塊的正極、所述的壓電片的第2引腳及所述的零電位切換模塊的第二輸入端連接，所述的溫差發(fā)電片的第2引腳、所述的第一儲能電容的另一端、所述的第二儲能電容的負(fù)極、所述的負(fù)載的另一端及所述的零電位切換模塊的接地端均接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合能量采集電路，其特征在于所述的正峰值檢測模塊包括第一PNP管、第一電容、第一NMOS管、第二NMOS管、第四二極管和第五二極管，所述的負(fù)峰值檢測模塊包括第二PNP管、第二電容、第三NMOS管、第四NMOS管、第六二極管和第七二極管，所述的零電位切換模塊包括第二二極管和第三二極管，所述的壓電片的第1引腳、所述的第七二極管的負(fù)極、所述的第四NMOS管的源極、所述的第二二極管的正極、所述的第二NMOS管的柵極、所述的第四二極管的正極及所述的第一PNP管的基極連接，所述的第四二極管的負(fù)極、所述的第一電容的一端及所述的第一PNP管的發(fā)射極連接，所述的第一電容的另一端與所述的第二NMOS管的漏極連接，所述的第一PNP管的集電極與所述的第一NMOS管的柵極連接，所述的第一NMOS管的漏極、所述的第三NMOS管的漏極、所述的第一電感的一端及所述的第一二極管的正極連接，所述的第一NMOS管的源極與所述的第五二極管的正極連接，所述的第五二極管的負(fù)極、所述的第二NMOS管的源極、所述的第三二極管的正極、所述的壓電片的第2引腳、所述的第四NMOS管的柵極、所述的第六二極管的正極及所述的第二PNP管的基極連接，所述的第四NMOS管的漏極與所述的第二電容的一端連接，所述的第二電容的另一端、所述的第二PNP管的發(fā)射極及所述的第六二極管的負(fù)極連接，所述的第二PNP管的集電極與所述的第三NMOS管的柵極連接，所述的第三NMOS管的源極與所述的第七二極管的正極連接，所述的第二二極管的負(fù)極與所述第三二極管的負(fù)極均接地。
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