[實用新型]一種超高分辨率AMOLED顯示器件有效
| 申請號: | 201820147173.X | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN207966990U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 陳國獅 | 申請(專利權)人: | 深圳市帝晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳市寶安區福永街道鳳凰第三工業區A5、A6、A3幢,在福永*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 上表面 顯示器件 小分子 發光 本實用新型 超高分辨率 驅動電路層 并五苯 隔離器 活性層 源矩陣 基板 鋼化玻璃 絕緣體 顯示器分辨率 導電電極 頂部發射 高穩定性 機械柔性 像素驅動 柵絕緣體 安裝門 下表面 超寬 漏極 門柵 色域 源極 粘接 焊接 印刷 | ||
本實用新型公開了一種超高分辨率AMOLED顯示器件,包括采用頂部發射機制的柔性有源矩陣OLED層和用于進行像素驅動的OTFT驅動電路層,柔性有源矩陣OLED層包括小分子發光OLED單元,小分子發光OLED單元的上表面粘接有超薄鋼化玻璃,小分子發光OLED單元的下表面焊接有導電電極;OTFT驅動電路層包括柔性OTFTs基板,柔性OTFTs基板的上表面安裝門柵絕緣體,門柵絕緣體的源極S和漏極D的上表面分別安裝連接有SPR隔離器;SPR隔離器的上表面印刷有并五苯膜活性層,兩側的并五苯膜活性層之間形成OLED孔徑。本實用新型大大提高了顯示器件的機械柔性,并且具有超寬色域,顯示器分辨率高穩定性好。
技術領域
本實用新型涉及顯示器件領域,具體為一種超高分辨率AMOLED顯示器件。
背景技術
AMOLED是英文Active-matrix organic light emitting diode的簡寫,中文全稱是有源矩陣有機發光二極體或主動矩陣有機發光二極體。被稱為下一代顯示技術。AMOLED的基礎是有機物發光體,成千上萬個只能發出紅、綠或藍色這三者顏色之中的一種的光源被以一種特定的形式安放在屏幕的基板上,這些發光體在被施加電壓的時候會發出紅、綠或者藍色,電壓的變換同樣需要依靠TFT,在調節三原色的比例之后,才能發出各種顏色。
隨著AMOLED技術的不斷發展,一些廠商推出了更加靈活的柔性AMOLED屏,基于做在塑料膜上的OLED屏可以在彎曲半徑達到幾個毫米的情況下進行工作,但是當彎曲半徑增大時就無法實現寬色域顯示,影響顯示器使用效果。
發明內容
為了克服現有技術方案的不足,本實用新型提供一種超高分辨率AMOLED顯示器件,能有效的解決背景技術提出的問題。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種超高分辨率AMOLED顯示器件,包括采用頂部發射機制的柔性有源矩陣OLED層和用于進行像素驅動的OTFT驅動電路層,所述柔性有源矩陣OLED層集成在OTFT驅動電路層上方;
所述柔性有源矩陣OLED層包括組成矩陣陣列的小分子發光OLED單元,所述小分子發光OLED單元的上表面粘接有用于保護的超薄鋼化玻璃,小分子發光OLED單元的下表面焊接有用于連接驅動電路的導電電極;
所述OTFT驅動電路層包括具有良好機械柔性的柔性OTFTs基板,所述柔性OTFTs基板的上表面安裝采用溶液涂層法制成的門柵絕緣體,所述門柵絕緣體的門極G接地連接至柔性OTFTs基板,源極S和漏極D的上表面分別安裝連接有SPR隔離器。所述SPR隔離器的上表面印刷有并五苯膜活性層,兩側的并五苯膜活性層之間形成用于連接上層柔性有源矩陣OLED層的OLED孔徑。
進一步地,所述小分子發光OLED單元采用前后白色OLED結構單元,包括頂層白色OLED和底層白色OLED,所述頂層白色OLED和底層白色OLED之間電氣連接有P-N連接器。
進一步地,所述頂層白色OLED的上表面粘接有柯達的超薄彩色濾光片,所述超薄彩色濾光片緊貼超薄鋼化玻璃下表面。
進一步地,所述柔性OTFTs基板采用在零下180攝氏度進行聚收縮制成的200nm聚醚砜膜與底部的封接絕緣樹脂層復合而成。
進一步地,所述門柵絕緣體采用有機絕緣體PVP—OTS制成,門柵絕緣體的門極和源極外接到用于控制亮度的驅動電壓。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
(1)本實用新型通過設置OTFT驅動電路層,利用柔性OTFTs基板的機械柔性,實現了顯示器的可折疊性,滿足曲面屏、可形變屏的使用需求,在門柵絕緣體上方采用溶液圖層法制成SPR隔離器、并五苯膜活性層,在實現單元間電氣隔離提高裝置穩定性的同時,又保證了基片超薄的厚度要求;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





