[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于玻璃制品的磁控鍍膜生產(chǎn)線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820138785.2 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN208038545U | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳金成;劉俊;卿新衛(wèi) | 申請(專利權(quán))人: | 珠海市斗門區(qū)鴻茂玻璃有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 519000 廣東省珠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低真空室 高真空室 本實(shí)用新型 玻璃制品 抽真空器 磁控鍍膜 隔離通道 輸送裝置 真空腔室 抽風(fēng)器 鍍膜室 應(yīng)用 室內(nèi) 玻璃輸送通道 磁控濺射靶 加熱裝置 陶瓷輸送 真空環(huán)境 輸送輥 真空腔 鍍膜 下端 變形 分割 | ||
本實(shí)用新型公開了一種設(shè)計(jì)合理、可防止玻璃制品變形和真空環(huán)境穩(wěn)定的應(yīng)用于玻璃制品的磁控鍍膜生產(chǎn)線。本實(shí)用新型包括輸送裝置,輸送裝置上設(shè)置有真空腔室,真空腔室內(nèi)設(shè)置有四個(gè)隔離通道,隔離通道上均設(shè)置有玻璃輸送通道,四個(gè)隔離通道將真空腔室依次分割成第一低真空室、第一高真空室、鍍膜室、第二高真空室和第二低真空室,鍍膜室內(nèi)設(shè)置有磁控濺射靶,輸送裝置上的輸送輥為陶瓷輸送輥,第一低真空室和第二低真空室的兩端分別設(shè)置有第一抽真空器和第一抽風(fēng)器,第一高真空室和第二高真空室及鍍膜室的兩端分別設(shè)置有第二抽真空器和第二抽風(fēng)器,第二抽真空器的下端設(shè)置有加熱裝置。本實(shí)用新型應(yīng)用于磁控鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及磁控鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種應(yīng)用于玻璃制品的磁控鍍膜生產(chǎn)線。
背景技術(shù)
磁控濺射鍍膜是指將涂層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產(chǎn)生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術(shù)。傳統(tǒng)的玻璃鍍膜大多只采用一個(gè)真空腔室,而一個(gè)真空腔室容易造成真空環(huán)境的不穩(wěn)定,從而影響玻璃鍍膜的質(zhì)量,另外再現(xiàn)有的磁控鍍膜生產(chǎn)設(shè)備上的傳送裝置,大多采用鋁合金或者是碳鋼制成的輸送輥,而玻璃在傳送裝置不斷與輸送輥相接觸,從而造成玻璃制品在鋁合金或碳鋼制成的輸送輥上發(fā)生形變,影響玻璃制品的質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種設(shè)計(jì)合理、可防止玻璃制品變形和真空環(huán)境穩(wěn)定的應(yīng)用于玻璃制品的磁控鍍膜生產(chǎn)線。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:本實(shí)用新型包括輸送裝置,所述輸送裝置上設(shè)置有真空腔室,所述真空腔室內(nèi)設(shè)置有四個(gè)隔離通道,所述隔離通道上均設(shè)置有玻璃輸送通道,四個(gè)所述隔離通道將所述真空腔室依次分割成第一低真空室、第一高真空室、鍍膜室、第二高真空室和第二低真空室,所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置有磁控濺射靶,所述輸送裝置上的輸送輥為陶瓷輸送輥,所述第一低真空室和所述第二低真空室的兩端分別設(shè)置有第一抽真空器和第一抽風(fēng)器,所述第一高真空室和所述第二高真空室及所述鍍膜室的兩端分別設(shè)置有第二抽真空器和第二抽風(fēng)器,所述第二抽真空器的下端設(shè)置有加熱裝置。
進(jìn)一步的,所述加熱裝置為電爐。
進(jìn)一步的,所述鍍膜室上設(shè)置有鍍膜觀察窗。
本實(shí)用新型的有益效果是:由于本實(shí)用新型包括輸送裝置,所述輸送裝置上設(shè)置有真空腔室,所述真空腔室內(nèi)設(shè)置有四個(gè)隔離通道,所述隔離通道上均設(shè)置有玻璃輸送通道,四個(gè)所述隔離通道將所述真空腔室依次分割成第一低真空室、第一高真空室、鍍膜室、第二高真空室和第二低真空室,所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置有磁控濺射靶,所述輸送裝置上的輸送輥為陶瓷輸送輥,所述第一低真空室和所述第二低真空室的兩端分別設(shè)置有第一抽真空器和第一抽風(fēng)器,所述第一高真空室和所述第二高真空室及所述鍍膜室的兩端分別設(shè)置有第二抽真空器和第二抽風(fēng)器,所述第二抽真空器的下端設(shè)置有加熱裝置,所以本實(shí)用新型通過所述陶瓷輸送輥帶動(dòng)玻璃制品依次通過所述第一低真空室、所述第一高真空室、所述鍍膜室、所述第二高真空室和所述第二低真空室,所述陶瓷輸送輥可以防止玻璃制品在傳送過程中發(fā)生變形的情況,所述真空腔室內(nèi)的所述第一低真空室、所述第一高真空室、所述鍍膜室、所述第二高真空室和所述第二低真空室,使濺射鍍膜的真空環(huán)境更加穩(wěn)定,使玻璃制品鍍膜效果更佳。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的俯視圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





