[實用新型]一種N型異質結雙面太陽能電池結構

有效

• 申請號: 201820135552.7
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN207967020U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 屈小勇;董鵬;吳翔;杜喜霞;張婷
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 郭桂峰

1.一種N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，包括：

N型硅片基體；

n+輕摻雜層，形成在所述N型硅片基體的正面；

正面本征非晶硅層，形成在所述n+輕摻雜層上；

N型摻雜非晶硅層，形成在所述本征非晶硅層上；

正面TCO薄膜，形成在所述N型摻雜非晶硅層上；

負電極，引出于所述N型摻雜非晶硅層；

背面本征非晶硅層，形成在所述N型硅片基體的背面；

P型摻雜非晶硅層，形成在所述背面本征非晶硅層上；

背面TCO薄膜，形成在所述P型摻雜非晶硅層上；

正電極，引出于所述P型摻雜非晶硅層。

2.如權利要求1所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述n+輕摻雜層的方塊電阻為50Ω/□-3000Ω/□，結深為0.02μm-2μm。

3.如權利要求1或2所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述n+輕摻雜層的摻雜濃度小于所述N型摻雜非晶硅層的摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述正面本征非晶硅層和所述N型摻雜非晶硅層的厚度均為5nm-10nm。

5.如權利要求1所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述正面TCO薄膜以及所述背面TCO薄膜為I TO膜，其厚度為50nm-200nm。

6.如權利要求1所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述正電極包括相互垂直設置的第一主柵線及第一副柵線。

7.如權利要求6所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述第一副柵線的寬度為30μm-100μm。

8.如權利要求6或7所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述第一副柵線的數量為60根-150根。

9.如權利要求1所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述負電極包括相互垂直設置的第二主柵線及第二副柵線。

10.如權利要求9所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述第二副柵線的寬度為25μm-70μm。

11.如權利要求9或10所述的N型異質結雙面太陽能電池結構，其特征在于，所述第二副柵線的數量為80根-180根。