[實用新型]用于熱處理基板的設備和用于處理基板的設備有效
| 申請號: | 201820126568.1 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN208208720U | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 埃里克·克哈雷·施諾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半角 氣體注入通道 熱處理基板 處理基板 基板邊緣 基板 厚度均勻性 處理腔室 氣體通道 氣體通過 氣體組件 氣源組件 不均勻 均勻性 改良 側面 生長 | ||
1.一種用于熱處理基板的設備,其特征在于,包括:
主體;
成角度的突起;和
氣體注入通道,包括:
第一半角;和
第二半角,其中所述第一半角不同于所述第二半角。
2.如權利要求1所述的設備,其特征在于,所述主體包括:
第一側面;
第二側面,與所述第一側面相對,其中所述第一側面實質上與所述第二側面是相同長度;
第三側面,與所述第一側面正交;
第一曲面,在所述第一側面與所述第三側面之間延伸;
第二曲面,在所述第三側面與所述第二側面之間延伸;
第四側面,與所述第二側面正交;
第三曲面,在所述第一側面與所述第四側面之間延伸;
第四曲面,在所述第四側面與所述第二側面之間延伸,其中在所述第三側面中與所述第四側面相對;
第五側面,與所述第一側面正交;和
第六側面,與所述第一側面正交,其中所述第六側面與所述第五側面相對。
3.如權利要求2所述的設備,其特征在于,所述成角度的突起設置在所述第五側面上,并且其中所述氣體注入通道設置在所述第六側面上。
4.如權利要求1所述的設備,其特征在于,所述成角度的突起是三角形。
5.如權利要求2所述的設備,其特征在于,所述成角度的突起包括:
第一小平面;和
第二小平面。
6.如權利要求5所述的設備,其特征在于,所述成角度的突起進一步包括圓形入口。
7.如權利要求6所述的設備,其特征在于,所述圓形入口與所述氣體注入通道流體連通。
8.如權利要求1所述的設備,其特征在于,所述氣體注入通道沿著流動路徑提供氣流,所述流動路徑位于距平行于所述流動路徑的基板支撐表面的切線5mm至10mm的距離處。
9.如權利要求1所述的設備,其特征在于,所述第一半角在29.5°與30.5°之間,并且其中所述第二半角在31.8°與32.8°之間。
10.如權利要求1所述的設備,其特征在于,所述氣體注入通道是朝向處理容積展開的扁平的漏斗形結構。
11.一種用于處理基板的設備,其特征在于,包括:
腔室主體,限定處理容積;
基板支撐件,設置在所述處理容積中,其中所述基板支撐件具有基板支撐表面;
氣源突起,耦接至所述腔室主體的入口;
排氣組件,耦接至所述腔室主體的出口;和
側面氣體組件,耦接至所述腔室主體的側壁,所述側面氣體組件包括:
氣體注入通道,包括:
第一半角;和
第二半角,其中所述第一半角不同于所述第二半角。
12.如權利要求11所述的設備,其特征在于,所述側面氣體組件進一步包括:
主體;和
成角度的突起。
13.如權利要求12所述的設備,其特征在于,所述主體包括:
第一側面;
第二側面,與所述第一側面相對,其中所述第一側面實質上與所述第二側面是相同長度;
第三側面,與所述第一側面正交;
第一曲面,在所述第一側面與所述第三側面之間延伸;
第二曲面,在所述第三側面與所述第二側面之間延伸;
第四側面,與所述第二側面正交;
第三曲面,在所述第一側面與所述第四側面之間延伸;
第四曲面,在所述第四側面與所述第二側面之間延伸,其中在所述第三側面中與所述第四側面相對;
第五側面,與所述第一側面正交;和
第六側面,與所述第一側面正交,其中所述第六側面與所述第五側面相對。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





