[實(shí)用新型]一種Ka頻段功率合成器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820126197.7
• 申請(qǐng)日: 2018-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN207677050U
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉士奇;王斌;寇陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所
• 主分類號(hào): H01P5/12
• 分類號(hào): H01P5/12
• 代理公司: 河北東尚律師事務(wù)所 13124
• 代理人: 王文慶

本實(shí)用新型公開了一種Ka頻段功率合成器，包括屏蔽盒體以及置于屏蔽盒體內(nèi)的功率放大芯片，屏蔽盒體上設(shè)有絕緣子，功率放大芯片具有芯片電容；屏蔽盒體內(nèi)設(shè)有凹槽以及分別位于凹槽輸入側(cè)和輸出側(cè)的兩個(gè)波導(dǎo)腔，凹槽內(nèi)設(shè)有兩個(gè)凸臺(tái)，功率放大芯片共有兩個(gè)且分別共晶設(shè)于兩個(gè)凸臺(tái)上，每個(gè)凸臺(tái)的兩側(cè)各具有一條溝槽，每條溝槽內(nèi)均設(shè)有一根用于連接波導(dǎo)腔與功率放大芯片的微帶探針，絕緣子共有四個(gè)并分別通過跳塊給兩個(gè)功率放大芯片提供柵極電壓和漏極電壓。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、工作頻率高、功率大等特點(diǎn)，適用于無(wú)線通信Ka頻段發(fā)射系統(tǒng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于毫米波器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種Ka頻段功率合成器。

背景技術(shù)

由于受Ka頻段固態(tài)器件自身半導(dǎo)體物理特性的影響以及加工工藝等諸方面的限制，目前還難以生產(chǎn)大功率、低噪聲和低價(jià)格的Ka頻段固態(tài)器件。現(xiàn)有技術(shù)中，為了獲得更大的輸出功率，常常需要采用功率合成的方法將多個(gè)功率器件集中在一個(gè)功率合成放大器中。

目前，應(yīng)用最多的功率合成技術(shù)是電路合成和空間功率合成。Ka頻段電路合成由于傳輸損耗以及電路結(jié)構(gòu)隨器件數(shù)量增加呈非線性增長(zhǎng)，其合成路數(shù)受到限制，不能滿足Ka頻段發(fā)射機(jī)的功率要求；而空間功率合成最大的優(yōu)點(diǎn)是合成效率基本與固態(tài)器件數(shù)量無(wú)關(guān)，更適合多器件的大功率輸出。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的ka頻段空間功率合成器件具有結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積較大、性能不佳的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種Ka頻段功率合成器，其具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、功率大等特點(diǎn)。

為了解決上述問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：

一種Ka頻段功率合成器，包括屏蔽盒體以及置于屏蔽盒體內(nèi)的功率放大芯片，所述屏蔽盒體上設(shè)有絕緣子，所述功率放大芯片具有芯片電容；所述屏蔽盒體內(nèi)設(shè)有凹槽以及分別位于凹槽輸入側(cè)和輸出側(cè)的兩個(gè)波導(dǎo)腔，所述凹槽內(nèi)設(shè)有兩個(gè)凸臺(tái)，所述功率放大芯片共有兩個(gè)且分別共晶設(shè)于兩個(gè)凸臺(tái)上，每個(gè)凸臺(tái)的兩側(cè)各具有一條溝槽，每條溝槽內(nèi)均設(shè)有一根用于連接波導(dǎo)腔與功率放大芯片的微帶探針，所述絕緣子共有四個(gè)并分別通過跳塊給兩個(gè)功率放大芯片提供柵極電壓和漏極電壓。

可選的，所述波導(dǎo)腔均為具有等分支路的E-T結(jié)波導(dǎo)腔，所述微帶探針均具有波導(dǎo)-探針過渡結(jié)構(gòu)，輸入側(cè)波導(dǎo)腔的兩條支路分別通過一根微帶探針與兩個(gè)功率放大芯片的輸入端波導(dǎo)連通，輸出側(cè)波導(dǎo)腔的兩條支路分別通過一根微帶探針與兩個(gè)功率放大芯片的輸出端波導(dǎo)連通。

可選的，所述E-T結(jié)波導(dǎo)腔的兩個(gè)支路為減高波導(dǎo)，且減高波導(dǎo)窄邊尺寸為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)尺寸的二分之一。

可選的，所述微帶探針為石英材質(zhì)，且微帶探針的厚度為0.2～0.3 mm。

可選的，輸入側(cè)波導(dǎo)腔的入口處以及輸出側(cè)波導(dǎo)腔的出口處均具有用于將波導(dǎo)的傳輸方向進(jìn)行90度變換的多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益效果：

本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，電路簡(jiǎn)單，易于匹配功率放大器芯片，可以省卻匹配電路，易于進(jìn)行工程調(diào)試，能夠滿足Ka頻段發(fā)射機(jī)的功率要求，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)具有較大進(jìn)步。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中屏蔽盒體的俯視圖；

圖3是圖1中屏蔽盒體的仰視圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種電原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。