[實用新型]一種用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構有效
| 申請號： | 201820120457.X | 申請日： | 2018-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN207877924U | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發明（設計）人： | 黃業;劉鵬;李成明;王健輝;盧敬權 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/08 | 分類號： | C30B25/08;C30B25/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 羅曉林;楊桂洋 |
| 地址： | 523000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 內筒體 噴頭 側壁 本實用新型 刻蝕反應腔 材料外延 外筒體 襯底 吹掃 腔體 同軸心設置 外筒體側壁 保養頻率 反應室壁 噴頭側壁 氣體通道 生產效率 系統維護 副產物 沉積 污染 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，包括腔體和噴頭，其特征在于，所述腔體包括外筒體和內筒體，噴頭設在內筒體中，外筒體側壁與內筒體側壁之間形成第一通道，內筒體側壁與噴頭側壁之間形成第二通道，外筒體、內筒體和噴頭同軸心設置。
2.根據權利要求1所述的用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，其特征在于，所述外筒體為等直徑筒體，內筒體為等直徑筒體，噴頭為等直徑管件。
3.根據權利要求1所述的用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，其特征在于，所述噴頭為等直徑管件，外筒體由上部弧形段和下部等直徑段構成，內筒體由上部等直徑段和下部弧形擴展段構成，內筒體的下部弧形擴展段由上往下逐漸擴大。
4.根據權利要求3所述的用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，其特征在于，所述內筒體的下部弧形擴展段與外筒體的上部弧形段保持平行。
5.根據權利要求1所述的用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，其特征在于，所述噴頭為等直徑管件，外筒體為由上往下漸縮的筒體，內筒體包括上部等直徑段和下部漸縮段，該下部漸縮段的直徑由上往下逐漸縮小。
6.根據權利要求5所述的用于GaN材料外延用的吹掃刻蝕反應腔結構，其特征在于，所述內筒體的下部漸縮段和外筒體保持平行。
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