[實用新型]太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構

有效

• 申請號: 201820118902.9
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN207817240U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 林斌
• 申請（專利權）人: 廈門大學嘉庚學院
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B1/00
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊;丘鴻超

1.一種太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于，包括：薄膜基質和設置在薄膜基質正面的四重光子晶體陣列結構；所述四重光子晶體陣列結構包括多個呈正方形陣列排布的四重光子晶體單元；所述四重光子晶體單元包括從外而內依次嵌套設置的金屬導電墨水空心正方形環、乙炔黑導電墨水空心正方形環、單晶硅薄片空心正方形環和最內的正方形陶瓷薄片。

2.根據權利要求1所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述四重光子晶體陣列結構是由5行5列共25個四重光子晶體單元按照5×5陣列周期性的分布在薄膜基質表面組成的。

3.根據權利要求2所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述四重光子晶體陣列結構劃分為5行5列25個小正方形區域，每個小正方形區域的大小都為40μm±1 μm×40 μm±1 μm，每個小正方形區域的對稱中心設置一個四重光子晶體單元。

4.根據權利要求3所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述四重光子晶體單元的大小為40 μm±1 μm×40 μm±1 μm；所述金屬導電墨水空心正方形環的外邊長為40 μm、內邊長為20 μm、所述乙炔黑導電墨水空心正方形環的外邊長為20 μm、內邊長為10 μm、所述單晶硅薄片空心正方形環的外邊長為10 μm、內邊長為5 μm和所述正方形陶瓷薄片的邊長為5 μm。

5.根據權利要求1所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：在所述四重光子晶體陣列結構的邊界，對角地設有信號輸入點和設有信號輸出點。

6.根據權利要求1-5其中任一所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述薄膜基質為聚對苯二甲酸乙二酯（PET）薄膜基質。

7.根據權利要求1-5其中任一所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述薄膜基質由至少9層層疊結構的薄膜組成，每層薄膜的厚度都為4 μm±1 μm，最上一層薄膜的相對介電常數為3.0±0.1；所述每層薄膜的相對介電常數從上到下逐漸增加，相鄰兩層薄膜之間的相對介電常數的差值為0.2。

8.根據權利要求1-5其中任一所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述薄膜基質的形狀為矩形，尺寸是200 μm±5 μm×200 μm±5 μm。

9.根據權利要求1-5其中任一所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述單晶硅薄片的相對介電常數為11±1。

10.根據權利要求1-5其中任一所述的太赫茲波段四重光子晶體帶阻濾波器結構，其特征在于：所述陶瓷薄片的相對介電常數為8±1。