[實用新型]一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲有效
| 申請號: | 201820115769.1 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN207749182U | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 展望;蘆玲;祝光輝;李剛 | 申請(專利權)人: | 淮安澳洋順昌光電技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;C30B25/10 |
| 代理公司: | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人: | 溫福雪 |
| 地址: | 223001*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱絲 外延片 交界處 石墨盤 本實用新型 中外圈 生產技術 相應區域 圓邊 加熱 傳遞 | ||
本實用新型屬于MOCVD外延片生產技術領域,涉及一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲,加熱絲用于加熱其上方的石墨盤,熱量從加熱絲傳遞給石墨盤上的外延片;在原有加熱絲的基礎上,降低位于中圈和外圈外延片交界處加熱絲的水平高度,比其他部分加熱絲低1毫米~10毫米。本實用新型的有益效果:采用以上技術方案可增加相應區域到石墨盤之間距離,可以降低中圈和外圈外延片交界處的溫度,從而改善因中圈和外圈外延片交界處溫度高于其他區域造成中圈外延片圓邊的高溫陷數增加和發光強度偏低的問題。
技術領域
本實用新型屬于MOCVD外延片生產技術領域,涉及一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲。
背景技術
目前MOCVD的各圈加熱絲均處于同一水平面。在實際生產過程存在中圈和外圈外延片交界處的溫度偏高,導致此區域的外延片的高溫缺陷數增加,發光強度偏低的現象。
針對上述問題,本實用新型改善的加熱絲可有效減少此區域的外延片的高溫缺陷數目,提高此區域的發光強度,有利于整體外延片亮度的提升。
實用新型內容
為解決技術領域存在的問題,本實用新型提供了一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲。
本實用新型的技術方案:
一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲,加熱絲用于加熱其上方的石墨盤,熱量從加熱絲傳遞給石墨盤上的外延片;在原有加熱絲的基礎上,降低位于中圈和外圈外延片交界處加熱絲的水平高度,比其他部分加熱絲低1毫米~10毫米。
本實用新型的有益效果:采用以上技術方案可增加相應區域到石墨盤之間距離,可以降低中圈和外圈外延片交界處的溫度,從而改善因中圈和外圈外延片交界處溫度高于其他區域造成中圈外延片圓邊的高溫陷數增加和發光強度偏低的問題。
附圖說明
圖1是加熱絲的俯視圖。
圖中:1~6是各圈加熱絲的編號。
具體實施方式
以下結合附圖和技術方案,進一步說明本實用新型的具體實施方式。
實施例1
一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲,加熱絲用于加熱其上方的石墨盤,熱量從加熱絲傳遞給石墨盤上的外延片;在原有加熱絲的基礎上,降低位于中圈和外圈外延片交界處加熱絲的水平高度,比其他部分加熱絲低1毫米。
實施例2
一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲,加熱絲用于加熱其上方的石墨盤,熱量從加熱絲傳遞給石墨盤上的外延片;在原有加熱絲的基礎上,降低位于中圈和外圈外延片交界處加熱絲的水平高度,比其他部分加熱絲低10毫米。
實施例3
一種改善MOCVD中外圈亮度的加熱絲,加熱絲用于加熱其上方的石墨盤,熱量從加熱絲傳遞給石墨盤上的外延片;在原有加熱絲的基礎上,降低位于中圈和外圈外延片交界處加熱絲的水平高度,比其他部分加熱絲低5毫米。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





