[實用新型]一種具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構有效

申請號：	201820101139.9	申請日：	2018-01-22
公開（公告）號：	CN211480041U	公開（公告）日：	2020-09-11
發明（設計）人：	袁俊;徐妙玲	申請（專利權）人：	北京世紀金光半導體有限公司
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872;H01L29/24
代理公司：	北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003	代理人：	張宇鋒
地址：	100176 北京市大***	國省代碼：	北京;11
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種具有多級溝槽碳化硅 sbd 器件結構
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述元胞結構的N^-外延層中刻蝕有若干從上到下寬度依次遞減的多級深溝槽；所述多級深溝槽的底部及側壁通過一定角度的P-Plus注入形成一圈P-Plus結構，然后在多級深溝槽中填入絕緣介質、多晶硅或金屬，當填充物為所述多晶硅或金屬時，多晶硅或金屬與肖特基區的肖特基接觸金屬相連。

2.根據權利要求1所述的具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述多級深溝槽由ICP，RIE或激光燒孔工藝制作而成。

3.根據權利要求1所述的具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述金屬為鎢或鈦。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京世紀金光半導體有限公司，未經北京世紀金光半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820101139.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。