[實用新型]一種晶圓基座有效
| 申請號： | 201820097230.8 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN207781567U | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 邵亞飛;浦斌;程清 | 申請（專利權）人： | 昆山維信諾科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人： | 許志勇 |
| 地址： | 215300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基座本體 晶圓基座 種晶 橫截面形狀 破損率 底面 申請 側面 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓基座，其特征在于，所述晶圓基座包括：基座本體；
所述基座本體為長方體；
所述基座本體的一個端面上設置有凹槽；所述端面的橫截面形狀為正方形，所述凹槽的底面為圓形，且所述凹槽與所述基座本體的長方體側面設有缺口。
2.如權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述缺口的數量為4個。
3.如權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述缺口的深度大于或等于所述凹槽的深度。
4.如權利要求3所述的晶圓基座，其特征在于，所述缺口的深度等于所述凹槽的深度。
5.如權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述缺口的寬度為1.5毫米～2.5毫米。
6.如權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述缺口通過對基板一個表面上的底面為圓形、且該圓形邊緣設置有至少一個凸起的凹槽，并沿凹槽不包括凸起部分的最大外切矩形切割形成，所述缺口的位置與所述凸起的位置相對應。
7.如權利要求6所述的晶圓基座，其特征在于，所述凸起的深度大于或等于所述凹槽的深度。
8.如權利要求7所述的晶圓基座，其特征在于，所述凸起的深度等于所述凹槽的深度。
9.如權利要求6所述的晶圓基座，其特征在于，所述凸起的數量為4個。
10.如權利要求6所述的晶圓基座，其特征在于，所述凸起的形狀為矩形。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
