[實(shí)用新型]一種MCU芯片失效告警電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820093211.8
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207663013U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭其木;謝征君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市微電能科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G06F11/36;G06F11/07
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種MCU芯片失效告警電路，所述MCU芯片（1）的WID引腳連接至看門(mén)狗電路（2），其特征在于，

所述MCU芯片失效告警電路包括信號(hào)檢測(cè)單元（3）和失效判斷單元（4）；

所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸入端連接至MCU芯片的WID引腳的喂狗信號(hào)輸出端；所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端連接至所述失效判斷單元的輸入端；

所述信號(hào)檢測(cè)單元包括第一電阻（R1）和第一電容（C1），所述第一電阻（R1）的一端為所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸入端，所述第一電阻（R1）的另一端連接至所述第一電容（C1）的一端；所述第一電容（C1）的另一端為所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端；

所述失效判斷單元（4）包括光電耦合器件（IC1）、第三電阻（R3）；

所述光電耦合器件（IC1）的發(fā)光二極管陽(yáng)極連接至所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端，所述光電耦合器件（IC1）的發(fā)光二極管陰極接信號(hào)地，所述光電耦合器件（IC1）的接收器件集電極連接至所述第三電阻（R3）的一端，所述光電耦合器件（IC1）的接收器件發(fā)射極連接至電源地，所述第三電阻（R3）的另一端連接至直流電源，所述光電耦合器件（IC1）的接收器件集電極作為所述失效判斷單元（4）的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述MCU芯片失效告警電路還包括告警單元（5），所述失效判斷單元的輸出端連接所述告警單元的輸入端；

所述告警單元（5）包括第四電阻（R4）、告警元件、可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）；

所述第四電阻（R4）的一端連接至所述告警元件的一端，所述第四電阻（R4）的另一端連接至直流電源；

所述告警元件的另一端連接至所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的一端，所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的另一端連接至電源地；所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的控制端連接至所述失效判斷單元的輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述告警單元（5）還包括穩(wěn)壓二極管（DZ1），所述穩(wěn)壓二極管（DZ1）的陽(yáng)極連接至所述失效判斷單元的輸出端；所述穩(wěn)壓二極管（DZ1）的陰極連接至所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的控制端。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）為N型MOS管，所述告警元件的另一端連接至所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的漏極，所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的源極連接至電源地；所述可控開(kāi)關(guān)器件（Q1）的柵極連接至所述失效判斷單元的輸出端。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述告警元件為發(fā)光二極管或者發(fā)聲元件；

所述發(fā)聲元件為蜂鳴器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述直流電源的穩(wěn)壓9V電源。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MCU芯片失效告警電路，其特征在于，

所述信號(hào)檢測(cè)單元還包括濾波模塊，所述濾波模塊的輸入端連接所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端，所述濾波模塊的輸出端連接所述失效判斷單元的輸入端；

所述濾波模塊包括第二電阻（R2）和第二電容（C2）；

所述第二電阻（R2）的一端分別連接至所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端、所述失效判斷單元的輸入端，所述第二電阻（R2）的另一端連接至信號(hào)地；

所述第二電容（C2）的一端分別連接至所述信號(hào)檢測(cè)單元的輸出端、所述失效判斷單元的輸入端，所述第二電容（C2）的另一端連接至信號(hào)地。