[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于跳頻通信的高速超寬帶半周期頻率檢測電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820093060.6
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN208316736U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐衛(wèi)林;劉俊昕;孫曉菲;李海鷗;韋保林;段吉海
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號: H04B17/30
• 分類號: H04B17/30;H04B1/713
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

本實(shí)用新型公開一種應(yīng)用于跳頻通信的高速超寬帶半周期頻率檢測電路，通過對輸入的頻率信號分別進(jìn)行上升沿和下降沿檢測，并可在輸入信號的半個周期內(nèi)將頻率轉(zhuǎn)換為電壓，提出并采用包絡(luò)檢測電容與采樣開關(guān)結(jié)構(gòu)，對采樣電容進(jìn)行峰值檢測并實(shí)時(shí)跟蹤，產(chǎn)生穩(wěn)定的直流電壓信號進(jìn)行輸出。邊沿信號互鎖控制工作方式，可使電路實(shí)現(xiàn)自動檢測，自我恢復(fù)到初始狀態(tài)，當(dāng)檢測到新的頻率信號時(shí)，不需電路外部施加復(fù)位或重啟信號，使電路對于跳頻信號可實(shí)現(xiàn)連續(xù)檢測，并適用于超寬帶高速跳頻信號的檢測。本實(shí)用新型適用于超寬帶跳頻通信，可滿足高速跳頻模式，克服傳統(tǒng)頻率檢測電路檢測時(shí)間過長、檢測頻帶范圍窄、可檢測頻率不高、輸出電壓紋波抖動大、功耗高等不足。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于跳頻通信的高速超寬帶半周期頻率檢測電路。

背景技術(shù)

跳頻信號是一個典型的非穩(wěn)定信號，由于其具有跳躍模式和跳躍頻率等獨(dú)一無二的特點(diǎn)，因此跳頻信號很難被截獲或阻攔，也使其具有很高的安全性。因?yàn)榫哂休^強(qiáng)的抗檢測、抗干擾和多址能力，跳頻通信廣泛的應(yīng)用于軍用電臺、軍用雷達(dá)等軍事通信領(lǐng)域，是現(xiàn)代軍事通信的重要制式。隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的快速發(fā)展，跳頻通信信號的帶寬越來越寬，頻率越來越高，跳頻速度也越來越快，而信號采樣需要滿足奈奎斯特采樣定理，這對ADC和DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)產(chǎn)生了巨大的壓力，目前的模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)難以滿足跳頻信號采樣的需求。

當(dāng)前，戰(zhàn)術(shù)網(wǎng)無線電臺的跳頻頻率已達(dá)到每秒數(shù)千次；在極高頻、超高頻頻段通信中，跳頻信號帶寬可達(dá)數(shù)吉赫茲，跳數(shù)可達(dá)每秒數(shù)萬次。針對短波戰(zhàn)術(shù)跳頻通信對抗，國內(nèi)外已研究出多種跳頻網(wǎng)信息分析識別方法，例如：信道接收機(jī)、壓縮接收機(jī)、超外差聲光接收機(jī)、FFT快速接收機(jī)等。而高速超寬帶快速跳頻信號檢測由于其帶寬大、跳數(shù)高，仍是目前研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的是傳統(tǒng)跳頻通信頻率檢測電路所存在的檢測速度較慢、可檢測頻率范圍較窄和穩(wěn)定性較差等問題，提供一種應(yīng)用于跳頻通信的高速超寬帶半周期頻率檢測電路。

為解決上述問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種應(yīng)用于跳頻通信的高速超寬帶半周期頻率檢測電路，由MOS管M1-M37、包絡(luò)檢測電容C1、采樣電容C2、電流源I1組成；

MOS管M1的柵極和MOS管M2的柵極相連后，形成整個高速超寬帶半周期頻率檢測電路的輸入端Vin；MOS管M1和M3的源極與電源VDD連接；MOS管M2和M4的源極與地GND連接；MOS管M1和M2的漏極與MOS管M3和M4的柵極相連；MOS管M3和M4的漏極與MOS管M8和M9的柵極相連；

MOS管M5和M7的源極與電源VDD連接；MOS管M6和M8的源極與地GND連接；MOS管M5和M6的漏極與MOS管M7的柵極相連；MOS管M5和M6的柵極與MOS管M7和M8的漏極相連；

MOS管M9和M10的源極與電壓源VDD連接；MOS管M11和M12的源極與地GND連接；MOS管M10和M11的漏極與MOS管M12的柵極相連；MOS管M10和M11的柵極與MOS管M9和M12的漏極相連；

MOS管M13、M15、M18和M19的源極與電源VDD連接；MOS管M14、M16和M17的源極與地GND連接；MOS管M13和M14的柵極與MOS管M18的漏極相連后，接至MOS管M8的漏極；MOS管M19和M20的柵極與MOS管M17的漏極相連后，接至MOS管M9的漏極；MOS管M13和M14的漏極與MOS管M15和M16的柵極相連；MOS管M15和M16的漏極與MOS管M17的柵極相連；MOS管M19和MOS管M20的漏極與MOS管M18的柵極相連；