[實(shí)用新型]橫向p-n-n微腔結(jié)構(gòu)Ge發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820091056.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207977343U | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃詩浩;鄭啟強(qiáng);曹世陽;謝文明;李天建;汪涵聰;陳彩云;黃靖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 福建工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/34 | 分類號(hào)： | H01L33/34;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市商泰律師事務(wù)所 11255 | 代理人： | 王曉彬 |
| 地址： | 350118 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光器件 分布式布拉格反射鏡 本實(shí)用新型 微腔結(jié)構(gòu) 高摻雜 襯底 源區(qū) 低電阻導(dǎo)電材料 空穴 發(fā)光器件表面 發(fā)光效率 發(fā)光性能 工藝制備 鈍化層 上表面 勢(shì)壘層 下表面 氧化硅 電極 高鍺 源層 兼容 暴露 成熟 應(yīng)用 | ||
1.一種橫向p-n-n微腔結(jié)構(gòu)Ge發(fā)光器件，其特征在于，包括有源層n-Ge層，n-Ge層下表面為Si/SiO2結(jié)構(gòu)，n-Ge層與Si/SiO2結(jié)構(gòu)構(gòu)成高摻雜n型GOI襯底，底部設(shè)有底部分布式布拉格反射鏡，n-Ge層上表面兩側(cè)設(shè)有p-GeSi區(qū)、n-GeSi區(qū)，p-GeSi區(qū)、n-GeSi區(qū)中間為有源區(qū)，有源區(qū)底部暴露n-Ge層，有源區(qū)內(nèi)設(shè)有頂部分布式布拉格反射鏡，所述p-GeSi區(qū)、n-GeSi區(qū)上設(shè)有低電阻導(dǎo)電材料的電極；發(fā)光器件表面設(shè)有氧化硅的鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向p-n-n微腔結(jié)構(gòu)Ge發(fā)光器件，其特征在于，所述n-Ge層厚度為1um，Si/SiO2結(jié)構(gòu)厚度為100.5um，底部分布式布拉格反射鏡厚度為3.08um，頂部分布式布拉格反射鏡厚度為1.54um。
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