[實用新型]一種長波長LED外延壘晶片及芯片及全彩發光體

有效

• 申請號: 201820089998.0
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN208093581U
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 顏建鋒;敖輝;彭澤洋;莊文榮;孫明
• 申請（專利權）人: 東莞市中晶半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/24;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種長波長LED外延壘晶片，其特征在于，包括：外延壘晶襯底、CaN 基外延壘晶層，外延壘晶襯底上表面依次垂直生長有CaN 基外延壘晶層，CaN 基外延壘晶層包括：

緩沖層：在n型CaN與外延壘晶襯底之間生長CaN緩沖層；

n型CaN：生長于CaN緩沖層之上，量子阱之下；

InCaN量子阱：為多量子阱，量子阱≥7對，在n型CaN與p型CaN之間，在CaN量子阱中分布沉積有降低帶寬間隙的物質；

p型CaN: 生長于InCaN量子阱之上。

2.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述InCaN量子阱中進一步包含Al，為AlInCaN量子阱。

3.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述在InCaN量子阱中分布沉積有降低帶寬間隙的物質，其中降低帶寬間隙的物質為C，C在量子阱中的分布范圍為10¹⁶——10²⁰cm^-3。

4.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述外延壘晶襯底選自：藍寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底、 CaN襯底、AlN 襯底、ZnO襯底、ZnSe襯底、GaP襯底、GaAs襯底中的一種，或兩種或兩種以上的復合襯底。

5.根據權利要求4所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述外延壘晶襯底材料選自藍寶石襯底、CaN襯底其中的一種，或兩種復合襯底。

6.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述的CaN 基外延壘晶層包括：緩沖層、n型CaN、量子阱、p型CaN，CaN 基外延壘晶層總厚度為h，控制壘晶層厚度0.35μm<h<6μm。

7.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述量子阱為多量子阱，量子阱≥7對，其中分布有C的量子阱為以外延壘晶襯底為下，從下至上第三對量子阱之后的量子阱中。

8.根據權利要求7所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，其中所述C在分布有C的量子阱中的分布范圍為10¹⁶——10²⁰cm^-3之間。

9.根據權利要求1所述的長波長LED外延壘晶片，其特征在于，包括外延壘晶襯底、CaN基外延壘晶層，外延壘晶襯底上表面依次垂直生長有CaN 基外延壘晶層，CaN 基外延壘晶層厚度為h，控制壘晶層厚度0.35μm<h<6μm包括：

緩沖層：在n型CaN與外延壘晶襯底之間生長CaN緩沖層；

n型CaN：生長于CaN緩沖層之上，量子阱之下；

AlInCaN量子阱：為多量子阱，量子阱≥7對，在第4對量子阱開始量子阱中C的分布范圍為10¹⁶——10²⁰cm^-3之間；

p型CaN: 生長于CaN量子阱之上。

10.一種用權利要求1-9任一項所述的長波長LED外延壘晶片制備的LED芯片，其特征在于，包括：襯底、緩沖層、n型CaN、分布沉積有C的量子阱、p型CaN及分別制備于n型CaN層、p型CaN層之上的n電極和p電極。

11.一種用于電子顯示器的LED全彩發光體，其特征在于，包括：基板及固定在基板上的LED芯片：

第一基板劃分有像素點區域，制備有同電壓電路；

LED芯片包括三原色芯片，其中紅光芯片為權利要求10所述的LED芯片；

每組三原色LED芯片包括紅、綠、藍三種色光的LED芯片各一個，與一個像素點區域對應固定于基板；

LED芯片與第一基板上的同電壓電路電性連接。