[實用新型]磁場屏蔽結構以及包括該磁場屏蔽結構的移動裝置有效
| 申請號： | 201820087280.8 | 申請日： | 2018-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN207926288U | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 吳勝熙;樸杜鎬;崔泰畯;趙誠男;崔暢學;趙中英 | 申請（專利權）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H02J50/12 | 分類號： | H02J50/12;H02J50/70 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 孫麗妍;汪喆 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁場屏蔽 移動裝置 磁性層 電容器 本實用新型 導體 厚度減小 環路形式 屏蔽電路 屏蔽性能 區域重疊 諧振 | ||
1.一種磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁場屏蔽結構包括：
磁性層；以及
諧振屏蔽電路，包括電容器和連接到所述電容器且具有環路形式的導體；
其中，所述磁性層的至少一部分在所述磁性層的厚度方向上與由所述導體圍繞的區域重疊。
2.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體設置在所述磁性層的表面上。
3.根據權利要求2所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述電容器設置在所述磁性層的表面上。
4.根據權利要求2所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁場屏蔽結構還包括結合層，所述結合層介于所述磁性層和所述導體之間且將所述磁性層結合到所述導體。
5.根據權利要求2所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體為電路板中的導體。
6.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁性層設置在由所述導體圍繞的區域中。
7.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁性層和所述導體設置在相同的高度上。
8.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述電容器為多層陶瓷電容器。
9.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體為具有至少兩匝的線圈。
10.根據權利要求9所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述線圈為螺線管。
11.根據權利要求9所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述線圈的不同匝設置在相同的高度上。
12.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述電容器和所述導體形成電感電容電路。
13.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述諧振屏蔽電路被電隔離。
14.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁性層包括形成堆疊結構的多個磁性層。
15.根據權利要求14所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體設置在所述堆疊結構的表面上。
16.根據權利要求14所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體介于所述堆疊結構的兩個相鄰磁性層之間。
17.根據權利要求14所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述導體圍繞所述堆疊結構的側表面。
18.根據權利要求1所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述磁場屏蔽結構還包括另一諧振屏蔽電路。
19.根據權利要求18所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述諧振屏蔽電路的所述導體設置在所述磁性層的一個表面上；并且
所述另一諧振屏蔽電路的導體設置在所述磁性層的在所述磁性層的與所述一個表面相反的那側的另一表面上。
20.根據權利要求18所述的磁場屏蔽結構，其特征在于，所述諧振屏蔽電路的所述導體和所述另一諧振屏蔽電路的導體設置在所述磁性層的同一表面上。
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