[實(shí)用新型]半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820083119.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207752977U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 連接模塊 連接端 放大模塊 驅(qū)動(dòng)信號(hào) 半導(dǎo)體功率模塊 地連接 信號(hào)發(fā)生電路 隔離電源 老煉裝置 電源 本實(shí)用新型 串聯(lián)設(shè)置 連接電源 輸出負(fù)極 輸出正極 第三極 第一極 老煉 | ||
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉裝置,包括電源、信號(hào)發(fā)生電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊、隔離電源和多個(gè)連接模塊,每個(gè)連接模塊均設(shè)有分別用于連接待老煉的半導(dǎo)體功率模塊的第一極、第二極和第三極的第一連接端、第二連接端和第三連接端,各連接模塊串聯(lián)設(shè)置,第一個(gè)連接模塊的第一連接端還連接至電源的輸出正極,而其他連接模塊的第一連接端還均分別對(duì)應(yīng)地連接前一個(gè)連接模塊的第二連接端,最后一個(gè)連接模塊的第二連接端還連接電源的輸出負(fù)極,各連接模塊的第三連接端還分別一一對(duì)應(yīng)地連接相對(duì)應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊;各驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊一一對(duì)應(yīng)地連接相對(duì)應(yīng)的一個(gè)隔離電源,各驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊均連接至同一個(gè)信號(hào)發(fā)生電路。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型實(shí)施例涉及功率模塊的功率老煉技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉裝置。
背景技術(shù)
IGBT或MOS管構(gòu)成的半導(dǎo)體功率模塊作為一種大功率半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)變頻調(diào)速以及各種高性能電源、工業(yè)電氣自動(dòng)化等領(lǐng)域有著廣闊的市場(chǎng)。半導(dǎo)體功率模塊在出廠(chǎng)前都需要進(jìn)行老煉處理,老煉處理耗時(shí)較長(zhǎng),特別是對(duì)于軍用半導(dǎo)體功率模塊的老煉處理,按照軍用規(guī)范要求,對(duì)每只半導(dǎo)體功率模塊都必須進(jìn)行至少160小時(shí)功率老煉篩選,鑒定時(shí)需要再進(jìn)行至少1000小時(shí)功率老煉。
現(xiàn)有的老煉處理,通常是將待老煉的各個(gè)半導(dǎo)體功率模塊以并聯(lián)方式連接于電源和相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)模塊之間,由各驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)生信號(hào)驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體功率模塊導(dǎo)通或關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)每個(gè)半導(dǎo)體功率模塊進(jìn)行老煉處理的信號(hào)都是獨(dú)立產(chǎn)生和傳送至半導(dǎo)體功率模塊,系統(tǒng)架構(gòu)復(fù)雜,老煉處理的能耗大。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,提供一種半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉裝置,能有效降低老煉處理的能耗。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉裝置,包括電源、信號(hào)發(fā)生電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊、隔離電源和多個(gè)用于一一對(duì)應(yīng)地連接各待老煉的半導(dǎo)體功率模塊的連接模塊,每個(gè)連接模塊均設(shè)置有用于連接待老煉的半導(dǎo)體功率模塊的第一極的第一連接端、用于連接待老煉的半導(dǎo)體功率模塊的第二極的第二連接端和用于連接待老煉的半導(dǎo)體功率模塊的第三極的第三連接端,所述各連接模塊串聯(lián)設(shè)置,其中,第一個(gè)連接模塊的第一連接端還連接至電源的輸出正極,而其他連接模塊的第一連接端還均分別對(duì)應(yīng)地連接前一個(gè)連接模塊的第二連接端,最后一個(gè)連接模塊的第二連接端還連接電源的輸出負(fù)極,各連接模塊的第三連接端還分別一一對(duì)應(yīng)地連接相對(duì)應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊;所述各驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊一一對(duì)應(yīng)地連接相對(duì)應(yīng)的一個(gè)隔離電源,每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊還均連接至同一個(gè)信號(hào)發(fā)生電路。
進(jìn)一步地,每個(gè)所述隔離電源與相對(duì)應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊集成一體。
進(jìn)一步地,所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊和信號(hào)發(fā)生電路之間還設(shè)置有光耦或變壓器。
進(jìn)一步地,每個(gè)連接模塊還包括一個(gè)連接于第一連接端和第二連接端之間、用于指示所述連接模塊對(duì)應(yīng)連接的半導(dǎo)體功率模塊導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光二極管。
采用上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型實(shí)施例至少具有以下有益效果:本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)信號(hào)發(fā)生電路產(chǎn)生一個(gè)預(yù)定的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體功率模塊中的各個(gè)IGBT或MOS管芯片,每個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊配備一個(gè)隔離電源供電,驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大模塊接收信號(hào)發(fā)生電路發(fā)送過(guò)來(lái)的驅(qū)動(dòng)信號(hào),將驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大后再驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體功率模塊中IGBT或MOS管芯片按一定方式導(dǎo)通或關(guān)斷。由于是采用同一驅(qū)動(dòng)信號(hào),所以在老煉過(guò)程中,該驅(qū)動(dòng)信號(hào)使所有串聯(lián)的半導(dǎo)體功率模塊中至少有一組IGBT或MOS管芯片是同時(shí)導(dǎo)通的,使得電源提供的恒定電流得以流過(guò)這些串聯(lián)起來(lái)的半導(dǎo)體功率模塊,以半導(dǎo)體功率模塊自身為負(fù)載進(jìn)行老煉,所消耗掉的功率僅為半導(dǎo)體功率模塊的自身固有損耗,大大節(jié)約了老煉電力消耗。并且采用這種方法進(jìn)行老煉時(shí),即便驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)錯(cuò)誤導(dǎo)致模塊橋臂短路直通,也不會(huì)損壞半導(dǎo)體功率模塊,保證了老煉時(shí)半導(dǎo)體功率模塊的安全。本方法可廣泛應(yīng)用于由IGBT或MOS管構(gòu)成的半導(dǎo)體功率模塊的功率老煉。
附圖說(shuō)明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





