[實用新型]熱處理設備

有效

• 申請號: 201820081336.9
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN208189532U
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: J·E·科瓦爾斯基
• 申請（專利權）人: DSG科技
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京易光知識產權代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

1.一種用于對襯底進行熱處理的熱處理設備，其特征在于，所述設備包括：

產生頻率范圍為1GHz到24GHz的均勻微波場的均勻微波場發生器；

摻有雜質的電容板，其位于所述均勻微波場發生器內并且定向成在所述均勻微波場內在所述電容板之間形成電容效應，所述電容板的間隔距離在1毫米到4毫米之間或者在6毫米到9毫米之間；以及

旋轉裝置，其被配置成使所述電容板和所述襯底在所述均勻微波場內旋轉，由此引起來自所述均勻微波場的被施加于所述襯底的微波的極性的周期性改變。

2.根據權利要求1所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板被摻雜以對由所述均勻微波場發生器產生的微波電場做出反應。

3.根據權利要求1所述的熱處理設備，其特征在于，進一步包括支撐元件，所述支撐元件包括絕緣體材料，該絕緣體材料將所述旋轉裝置附接到所述電容板并且將所述電容板彼此平行固定。

4.根據權利要求3所述的熱處理設備，其特征在于，所述支撐元件中的至少一個被配置成將所述襯底固定在所述電容板之間并且與所述電容板平行。

5.根據權利要求3所述的熱處理設備，其特征在于，所述支撐元件可選擇性地調整，使得所述電容板之間的距離可調整。

6.根據前述權利要求中任意一項所述的熱處理設備，其特征在于，所述均勻微波場中的傅科電流通過垂直于所述電容板流動而對所述極性的周期性改變作出反應，從而提供對所述襯底的均勻加熱。

7.根據權利要求1-5中任意一項所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板具有足夠高的導電性以在所述均勻微波場中形成電場，并且承受500到700攝氏度的熱。

8.根據權利要求6所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板具有足夠高的導電性以在所述均勻微波場中形成電場，并且承受500到700攝氏度的熱。

9.根據權利要求1-5中任意一項所述的熱處理設備，其特征在于，所述均勻微波場發生器是單模腔室或多模腔室或波導端口，其被配置成繞所述電容板形成所述均勻微波場。

10.根據權利要求6所述的熱處理設備，其特征在于，所述均勻微波場發生器是單模腔室或多模腔室或波導端口，其被配置成繞所述電容板形成所述均勻微波場。

11.根據權利要求7所述的熱處理設備，其特征在于，所述均勻微波場發生器是單模腔室或多模腔室或波導端口，其被配置成繞所述電容板形成所述均勻微波場。

12.根據權利要求1-5中任意一項所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包含半導體層和基座層，所述電容板的取向被配置使得所述基座層面對彼此。

13.根據權利要求6所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包含半導體層和基座層，所述電容板的取向被配置使得所述基座層面對彼此。

14.根據權利要求7所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包含半導體層和基座層，所述電容板的取向被配置使得所述基座層面對彼此。

15.根據權利要求9所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包括被配置成隨著溫度的升高而導電性增大的半導體材料或導體材料。

16.根據權利要求1-5中任意一項所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包括被配置成隨著溫度的升高而導電性增大的半導體材料或導體材料。

17.根據權利要求6所述的熱處理設備，其特征在于，所述電容板各自包括被配置成隨著溫度的升高而導電性增大的半導體材料或導體材料。