[實用新型]一種集成超低電容大驟回TVS的共模濾波器件

有效

• 申請號: 201820078833.3
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN208093558U
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 蘇亞兵;蘇海偉;趙德益;趙志方;王允;呂海鳳;霍田佳;張嘯;蔣騫苑
• 申請（專利權）人: 上海長園維安微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298
• 代理人: 韓國輝

1.一種集成超低電容大驟回TVS的共模濾波器件，其特征在于，

包括P型硅襯底，所述P型硅襯底上生長N型EPI，所述N型EPI上設有N阱摻雜區域和P阱摻雜區域，其中：

一組N阱摻雜區和P阱摻雜區相接，且此組N阱摻雜區內進行N+重摻雜和P+重摻雜，此組P阱摻雜區內進行N+摻雜和P+摻雜，構成P-N-P-N的四層三結SCR結構TVS；

一組P阱摻雜區內進行N+重摻雜和P+重摻雜，該N+重摻雜和P阱形成降容二極管；

所述SCR結構的TVS和所述降容二極管通過第一層金屬和第二層金屬互聯形成保護兩路I/O的超低電容TVS陣列，引出兩個I/O端口和一個Gnd端口；

在第二層金屬上覆蓋絕緣Polymide層，利用電鍍工藝技術形成兩層上下對稱的Cu線圈，而且兩層Cu線圈中間采用Polymide層隔離，第二層Cu線圈上再覆蓋一層Polymide層作為Cu線圈的鈍化保護；TVS陣列的兩個IO端口分別和兩層Cu線圈的其中一端連接，并引出PAD作為共模電感的輸入端口，兩層Cu線圈的另外一端分別引出PAD作為共模電感的輸出端口，超低電容TSV陣列的Gnd端口直接引出到Polymide層表面作為器件的Gnd端口。

2.根據權利要求1所述的集成超低電容大驟回TVS的共模濾波器件，其特征在于，共模電感Cu線圈與超低電容TVS陣列的第二層金屬之間的Polymide絕緣層厚度不低于5微米。

3.根據權利要求1所述的集成超低電容大驟回TVS的共模濾波器件，其特征在于，超低電容TVS陣列結構中的SCR結構與降容二極管的P阱之間采用深槽隔離。

4.根據權利要求1所述的集成超低電容大驟回TVS的共模濾波器件，其特征在于，所述P型硅襯底電阻率為100ohm-500ohm，所述N型EPI電阻率為10ohm-20ohm。