[實用新型]一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路及其過壓保護電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820076547.3 | 申請日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN207742587U | 公開(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳昊 | 申請(專利權(quán))人: | 建榮集成電路科技(珠海)有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 深圳市華騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44370 | 代理人: | 彭年才 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市吉大*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 過壓保護電路 音頻驅(qū)動電路 柵極電壓 最大電壓 雙電壓 非線性工作狀態(tài) 集成電路技術(shù) 本實用新型 供電 泄放通路 鉗制 燒毀 電路 保證 | ||
本實用新型適用于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路及其過壓保護電路。其中,過壓保護電路連接第二電壓的PMOS管的柵極,當(dāng)?shù)诙妷旱腜MOS管的柵極電壓高于第二電壓的PMOS管工作時所能承受的最大電壓時,過壓保護電路工作,提供過壓的泄放通路,以將第二電壓的PMOS管的柵極電壓鉗制在第二電壓的PMOS管工作時所能承受的最大電壓范圍內(nèi),保證了音頻驅(qū)動電路無論在啟動或是電路進入非線性工作狀態(tài)時,都不會因為過壓而燒毀,保證了系統(tǒng)工作的安全性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路及其過壓保護電路。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)集成芯片的音頻驅(qū)動電路是采用3.3V 驅(qū)動模式,在驅(qū)動耳機時,從3.3V電源抽取大電流,以實現(xiàn)大的輸出幅度。
隨著便攜式設(shè)備興起,低壓低功耗設(shè)備逐漸成為主流。為了可以有效降低系統(tǒng)功耗并延長便攜式設(shè)備的使用時間,同時兼顧芯片功能和應(yīng)用范圍的增加,期望芯片同時具備3.3V 驅(qū)動模式和1.2V驅(qū)動模式。由于在芯片設(shè)計中,不同的電壓域電路需要采用不同電壓的CMOS器件進行設(shè)計,因此,通常需要在芯片上采用3.3V MOS器件和1.2V MOS器件分別設(shè)計兩個音頻驅(qū)動電路。這樣便增加了芯片的設(shè)計難度且兩個驅(qū)動電路占用的layout面積較大,增大了芯片成本。
為此,現(xiàn)有技術(shù)提出了一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路。該音頻驅(qū)動電路中,輸出級采用典型的Class AB結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由一個PMOS管和NMOS管構(gòu)成,1.2V電壓域的輸出級與3.3V電壓域的輸出級共用一個主體運放,兩個輸出級共用一個NMOS管,即是說:3.3V電壓域的輸出級包括一個3.3V PMOS管和一個3.3V NMOS管;1.2V電壓域的輸出級包括一個1.2VPMOS管和3.3V NMOS管。這樣便節(jié)省了layout面積,降低了芯片的成本。
但在該雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路中,當(dāng)運放處于非線性狀態(tài)時,電路內(nèi)部的節(jié)點電壓能夠達(dá)到3.3V電壓域,驅(qū)動1.2V PMOS管的電壓有可能大于1.2V PMOS管工作時所能承受的最大電壓,并使得1.2V PMOS管被擊穿,造成不可逆的損壞。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路的過壓保護電路,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)提供的雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路中,驅(qū)動1.2V PMOS管的電壓有可能大于1.2V PMOS管工作時所能承受的最大電壓,進而擊穿1.2V PMOS管的問題。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的,一種雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路的過壓保護電路,所述雙電壓域供電的音頻驅(qū)動電路包括主體運放、第一電壓的PMOS管MPD1、第一電壓的NMOS管MND1、第二電壓的PMOS管MPD2,所述第一電壓高于所述第二電壓,所述過壓保護電路包括供電端、泄放端和控制端,所述供電端連接第二電壓線,所述泄放端連接地線,所述控制端連接所述第二電壓的PMOS管MPD2的柵極。
進一步地,所述過壓保護電路可包括:第一PMOS管MPP0、第二PMOS管MPP1、第一電流源IS1;所述第一PMOS管MPP0的源極作為所述過壓保護電路的控制端,所述第二PMOS管MPP1的源極作為所述過壓保護電路的供電端,所述第一PMOS管MPP0的柵極和漏極、以及第二PMOS管MPP1的柵極和漏極相互連接,且連接后通過所述第一電流源IS1連接地線,所述第一電流源IS1與所述地線連接的一端作為所述過壓保護電路的泄放端。
更進一步地,所述第一電壓可以是3.3V,所述第二電壓可以是1.2V。
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