[實用新型]半導體設備有效
| 申請號： | 201820074885.3 | 申請日： | 2018-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN207818535U | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 趙雷超;李春雷;紀紅;秦海豐;張芳;蘭云峰;王勇飛;王洪彪;文莉輝;張鶴南;王寬冒;鄭金果;楊玉杰 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 腔室 半導體設備 傳輸平臺 電容 本實用新型 沉積 傳輸基片 電介質層 下電極 電極 | ||
1.一種半導體設備，用于制備電容，其特征在于，包括：PVD腔室、ALD腔室和傳輸平臺；
所述PVD腔室和所述ALD腔室均與所述傳輸平臺相連通；
所述PVD腔室用于在基片上沉積所述電容的上電極和下電極；
所述ALD腔室用于在基片上沉積所述電容的電介質層；
所述傳輸平臺用于傳輸基片。
2.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，還包括去氣腔室，與所述傳輸平臺相連，所述去氣腔室用于對基片進行除氣和退火。
3.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，還包括預清洗腔室，與所述傳輸平臺相連，所述預清洗腔室用于去除基片表面上的雜質。
4.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，所述PVD腔室的數量為多個，多個所述PVD腔室用于沉積不同材料的薄膜。
5.根據權利要求4所述的半導體設備，其特征在于，所述PVD腔室的數量為兩個；一個所述PVD腔室用于沉積W薄膜；
另一個PVD腔室用于沉積TiN薄膜。
6.根據權利要求5所述的半導體設備，其特征在于，所述ALD腔室用于沉積Al2O3薄膜。
7.根據權利要求6所述的半導體設備，其特征在于，所述電容的上電極包括朝向所述下電極方向依次層疊的W膜層和TiN膜層；
所述下電極包括朝向所述上電極方向依次層疊的W膜層和TiN膜層；
所述電介質層為Al2O3薄膜。
8.根據權利要求6所述的半導體設備，其特征在于，所述電容的上電極包括朝向所述下電極方向依次層疊的W膜層和TiN膜層；
所述下電極包括朝向所述上電極方向依次層疊的TiN膜層、W膜層和TiN膜層；
所述電介質層為Al2O3薄膜。
9.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，所述電容為平面電容。
10.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，所述電容為溝槽電容。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
